TPH11006NL,LQ
TPH11006NL,LQ参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 17A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 11.4 毫欧 @ 8.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 200µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 23nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2000pF @ 30V |
| 功率耗散（最大值） | 1.6W（Ta），34W（Tc） | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SOP Advance（5x5） |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
TPH11006NL,LQ手册
TPH11006NL,LQ概述
产品概述：TPH11006NL, LQ
一、产品简介
TPH11006NL, LQ 是东芝（Toshiba）公司推出的一款高性能N沟道MOSFET（场效应管），其具有出色的电气特性和高效能，广泛应用于电源管理、高频开关和功率转换等领域。该元器件具有耐高压和高电流能力，特别适合于需要高效率和可靠性的电子设备。
二、主要特点
漏源电压高达60V：TPH11006NL可在高达60V的工作环境下稳定运行，适合用于需要较高电压的应用场景。
连续漏极电流可达17A：在25℃的环境下，该MOSFET支持的连续漏极电流高达17A，能够满足大功率负载的需求，尤其适合开关电源和电机驱动等领域。
优异的导通电阻：在10V的栅极驱动电压下，导通电阻最大为11.4毫欧。这一特性有效降低了在开关过程中产生的功耗，提升了整体能效。
宽范围的栅极驱动电压：支持4.5V至10V的栅极驱动电压，具有良好的兼容性，能够适应不同电源电压设计。
低阈值电压：最大阈值电压（Vgs(th)）为2.5V，这一特性使得该器件能在较低的电压下启动，提升了开关速度和响应速度。
良好的热管理性能：该MOSFET的最大功率耗散可达34W（在控制温度下），使其在高负载工作环境中保持稳定，延长设备使用寿命。
紧凑的封装设计：采用8-SOP Advance（5x5）封装，便于表面贴装，节省空间的同时便于集成至各种电路板上。
广泛的工作温度范围：工作温度可达150°C，适合在高温环境下连续工作，确保了器件的可靠性和稳定性。
三、应用领域
TPH11006NL在多个应用场合中表现突出，具体包括但不限于：
- 开关电源（PSU）：可用作高效的开关元件，以提高电源的转换效率与稳定性。
- 电机驱动系统：在电机驱动电路中作为高频切换开关，保障电机的高响应和高效能。
- 电源管理IC：适用于各种电子设备中的电源管理和能量转换电路。
- 电动工具：在高功率电动工具中提供强劲的连续临界电流支撑。
四、总结
TPH11006NL, LQ不仅具有高电压和高电流的优越性能，还在导通电阻、功率耗散和工作温度方面具备显著优势。其出色的热管理能力和紧凑的封装设计使其成为市场上非常理想的选择，特别是在开关电源、电机驱动及现代电子设备中。东芝的这款MOSFET为电子设计工程师提供了一个值得信赖的解决方案，有助于实现高效、稳定的电源管理。对于寻求高性能电子元器件的应用场合而言，TPH11006NL, LQ是一款不可或缺的组件。