XP161A1265PR 产品实物图片
XP161A1265PR 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

XP161A1265PR

商品编码: BM0084326993
品牌 : 
TOREX(特瑞仕)
封装 : 
SOT-89
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2W 20V 4A 1个N沟道 SOT-89
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.68
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.68
--
10+
¥1.3
--
500+
¥1.19
--
6000+
产品参数
产品手册
产品概述

XP161A1265PR参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)20V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,4.5V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)55 毫欧 @ 2A,4.5V
Vgs(最大值)±12V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)320pF @ 10V
功率耗散(最大值)2W(Ta)工作温度150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装SOT-89
封装/外壳TO-243AA

XP161A1265PR手册

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XP161A1265PR概述

产品概述:XP161A1265PR MOSFET

一、基本信息

XP161A1265PR 是一款高性能 N 通道 MOSFET(场效应管),采用 SOT-89 封装,专为高效能、低功耗电子设备设计。该元件具备优良的导通特性和热稳定性,适合广泛的应用领域。

二、技术规格

  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)
  • 漏源电压(Vdss):20V
  • 连续漏极电流(Id):在 25°C 环境下最大可达 4A
  • 驱动电压
    • 最大 Rds On:2.5V
    • 最小 Rds On:4.5V
  • 导通电阻(Rds On 最大值):在 2A 时 @ 4.5V 的典型值为 55 毫欧
  • Vgs(最大值):±12V
  • 输入电容(Ciss):在不同的漏源电压 Vds 条件下,最大为 320pF(通常在 10V 条件下测量)
  • 功率耗散(最大值):可达 2W(Ta)
  • 工作温度:最高可达 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型(SMD)
  • 封装:SOT-89

三、应用领域

XP161A1265PR MOSFET 具有广泛的应用潜力,尤其在以下几个领域:

  1. 电源管理应用:由于其低导通电阻和良好的漏源电流能力,XP161A1265PR 可以有效降低电源转换过程中的能量损耗,非常适合用于开关电源和 DC-DC 转换器。

  2. 信号处理:在低电压条件下,其快速开闭特性使得它在各种信号开关应用中表现出色,能够实现快速的开关控制。

  3. 驱动电路:XP161A1265PR 可以用于电机驱动、继电器驱动和灯光控制等场合,凭借其高效的电流传导能力,确保了负载的可靠性与响应速度。

  4. 便携设备:因其小巧的 SOT-89 封装和低功耗特性,该 MOSFET 也非常适合用于手机、平板电脑等便携式电子设备中,有效延长产品的电池使用时间。

四、性价比与可靠性

作为 TOREX(特瑞仕)品牌的产品,XP161A1265PR 在设计与生产过程中严格遵循国际标准,提供卓越的性能和可靠性。其额定电压与电流指标使其适用于中低功率的应用场景,且在合理的散热条件下,其功率耗散能力强,能够应对多种复杂环境。

此外,其最高工作温度可达到 150°C,使得 XP161A1265PR 可在较高温度环境下正常工作,适合工业设备和汽车电子产品等要求较高的应用。

五、总结

XP161A1265PR 是一款优秀的 N 通道 MOSFET,凭借其20V的漏源电压、4A的连续漏极电流以及低导通电阻的优势,成为电源管理、信号控制和驱动电路等应用场合的理想选择。其小巧的 SOT-89 封装和高工作温度范围使其能满足现代电子设计对空间和散热的苛刻需求。无论是在消费电子、工业设备还是汽车电子等领域,XP161A1265PR 都展现出极高的性价比与应用潜力,为设计师和工程师提供了更多的设计自由度和灵活性。