制造商 | Texas Instruments | 系列 | NexFET™ |
包装 | 卷带(TR) | 零件状态 | 有源 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 2 毫欧 @ 25A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.8V @ 250µA |
Vgs(最大值) | ±20V | 功率耗散(最大值) | 3.1W(Ta),125W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | 8-VSONP(5x6) | 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
漏源电压(Vdss) | 30V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 68nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 4430pF @ 15V | 基本产品编号 | CSD17576 |
CSD17576Q5B是一款由德州仪器(Texas Instruments)制造的高性能N沟道MOSFET,属于其NexFET™系列。这款场效应管采用表面贴装型封装(8-VSONP,尺寸为5x6mm),专为高电流、高效率的应用场景设计。它特别适合于电源管理、DC-DC转换器、马达驱动以及其他需要快速开关和高电流处理的电子电路。
CSD17576Q5B适用于广泛的电子应用,如:
CSD17576Q5B N沟道MOSFET是一款结合了高电流承载能力、低导通电阻及优越的温度性能的高效能电子元件。作为德州仪器的NexFET™系列产品之一,这款MOSFET不仅满足严苛的应用需求,也助力电子设计师在各种电源和马达驱动系统中实现高效的设计目标。无论在电源转换、马达控制,还是其他高电流应用中,CSD17576Q5B都展现出了其卓越的性能和广泛的适用性。