STW69N65M5
STW69N65M5参数
| 制造商 | STMicroelectronics | 系列 | MDmesh™ V |
| 包装 | 管件 | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 58A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 45 毫欧 @ 29A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±25V | 功率耗散（最大值） | 330W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247 | 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 143nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6420pF @ 100V | 基本产品编号 | STW69N |
STW69N65M5手册
STW69N65M5概述
STW69N65M5 产品概述
汇聚了最先进的半导体技术，STW69N65M5是STMicroelectronics公司推出的一款高性能N沟道MOSFET。作为MDmesh™ V系列的一部分，该器件特别设计用于满足现代电子设计对高功率、低导通电阻以及高耐压的需求，是高效率开关电源、直流-直流转换器以及各类电机驱动应用的理想选择。
主要特点
高额定功率： STW69N65M5具备高达330W的功率耗散能力，确保在高负载条件下稳定运行。这一特性使得该MOSFET适用于需要持续高功率输出的应用。
高电流处理能力： 其25°C时的连续漏极电流（Id）可达58A，这使得该器件能够承受大电流传输，适合落在高功率电源系统及工业设备中。
耐压能力： STW69N65M5具有650V的漏源电压（Vdss），为高电压应用提供了极大的安全余量。这一特性在高电压的直流-直流转换器和电机驱动电路中是个重要考量。
低导通电阻： 在10V栅极驱动电压下，最大导通电阻（Rds On）为45毫欧，这能够显著降低功耗和热量产生，提升整体系统的效率。
高工作温度： 该器件的工作温度可达150°C（TJ），这意味着它能够在高环境温度下稳定工作，大幅提高了应用的灵活性和可靠性。
优秀的切换性能： STW69N65M5的栅极电荷（Qg）最大值为143nC @ 10V，输入电容（Ciss）最大值为6420pF @ 100V，保证了其在高频开关操作中的优异表现，减少了开关损耗。
便于安装与应用： 该器件采用TO-247-3封装，适合通孔安装，方便在多种PCB设计中应用，使得散热更为高效。
应用领域
STW69N65M5因其独特的性能，广泛应用于多种技术领域，包括但不限于：
- 开关电源： 由于其高功率和低导通电阻，该MOSFET在电源转换中能有效提升效率。
- 直流-直流转换器： 在电源管理系统中，STW69N65M5能够提供可靠的电流控制，适应复杂的负载要求。
- 电机驱动： 适合用于工业电机控制和驱动系统，确保在高负载条件下平稳运行。
- 电力电子： 也可作为合成电路中的开关元件，为各种电力电子解决方案提供支持。
使用建议
在实际应用中，建议设计师根据器件的特性进行合理的驱动电路设计，以确保MOSFET工作在最佳状态。同时，考虑到器件的功率及热性能，恰当的散热设计也是确保STW69N65M5寿命和可靠性的关键因素之一。
通过结合尖端的材料科学与精密的半导体制造工艺，STW69N65M5体现了STMicroelectronics在半导体行业的领导地位，成为涉及高功率应用工程师的可靠合作伙伴。