STW40N95K5
STW40N95K5参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 950V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 38A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 130 毫欧 @ 19A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 93nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3300pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 450W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
STW40N95K5手册
STW40N95K5概述
STW40N95K5 产品概述
简介
STW40N95K5是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能N通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。凭借其出色的电气性能和高可靠性，STW40N95K5被广泛应用于高电压和高功率的电子设备中，如开关电源、逆变器和电机驱动器等应用场景。该器件的封装为TO-247-3，便于在各种工业和消费类电子产品中实现高效散热。
主要参数
- FET类型: N通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物半导体）
- 漏源电压（Vdss）: 950V
- 连续漏极电流（Id）: 38A（25°C时，热管理条件为Tc）
- 最大驱动电压: 10V
- 导通电阻（最大Rds(on)）: 130毫欧（19A，10V条件下）
- 阈值电压（Vgs(th)）: 5V（100µA条件下）
- 栅极电荷（Qg）: 93nC（10V条件下）
- 最大栅源电压（Vgs）: ±30V
- 输入电容（Ciss）: 3300pF（100V条件下）
- 功率耗散: 450W（Tc条件下）
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 封装类型: TO-247-3
性能优势
STW40N95K5以其950V的高漏源电压和38A的连续漏极电流为用户提供了卓越的高功率处理能力，适合用于更高电压的应用场合。此外，其典型的导通电阻（Rds(on)）为130毫欧，能够有效降低开关损耗，提高整体系统的能效和可靠性。
该器件的栅极电荷（Qg）为93nC，说明其切换速度较快，因此在高频开关应用中也能够保持良好的性能。这种特性在现代的开关电源和逆变器设计中尤为重要，能够有效提升高频工作下的效率。
STW40N95K5的最大功率耗散为450W，确保用户在高功率应用中能够保持安全的工作温度。同时，其宽广的工作温度范围（-55°C到150°C）使其适合在极端环境条件下工作，满足了军事和航空航天等特殊领域的需求。
应用领域
STW40N95K5被广泛应用于以下几个主要领域：
开关电源: 由于其低导通电阻和高耐压特性，该MOSFET适用于开关电源的开关元件，能够有效降低能量损耗并提高转换效率。
逆变器: 在太阳能逆变器和电动汽车驱动逆变器中，STW40N95K5可以驱动高电压电流，确保系统的稳定性和高效性。
电机控制: 该器件能够在电机驱动中提供高效的开关性能，确保电机运行的平稳性与效益。
工业应用: 由于其高功率处理能力和宽温工作范围，使得STW40N95K5成为工业设备中理想的选择，如电力变换及控制系统。
总结
STW40N95K5是一款高性能的N通道MOSFET，凭借出色的电气性能和广泛的应用范围，能够满足多种高功率、高电压场合的需求。其优越的热管理能力和良好的切换性能，使其在现代电子设计中成为不可或缺的高效能器件。无论是在工业自动化、能源供应还是消费电子领域，STW40N95K5都展现出其卓越的价值与性能，是设计师在选择元器件时的一项重要考虑因素。