STP40NF03L
STP40NF03L参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 40A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 22 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 15nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±16V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 770pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 70W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
STP40NF03L手册
STP40NF03L概述
STP40NF03L 产品概述
概述
STP40NF03L 是由意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET（场效应管），广泛应用于电源管理、开关电源、直流-直流转换器、马达驱动、以及各种功率放大器等场合。这款 MOSFET 具备出色的导通性能和热管理能力，使其在高电流和高电压环境中可靠运行。
核心参数及特性
FET 类型: STP40NF03L 为 N 通道 MOSFET，意味着它可以在高电压环境下提供优越的导电性能以及较小的导通电阻。
技术特点: 采用金属氧化物技术（MOSFET），该技术在现代电子组件中得到了广泛应用，因其低能耗、高效率的特性。
电气特性:
- 漏源电压（Vdss）: 该器件的最大漏极-源极电压为 30V，使其适用于低至中等电压应用。
- 连续漏极电流（Id）: 额定连续漏极电流可达 40A（在强制冷却条件下），使其能够处理高负载要求。
- 导通电阻（Rds(on)）: 其最大导通电阻为 22 毫欧（在 20A，10V 时），意味着在高负载情况下，器件能够有效减少功耗，从而提升整体系统的效率。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大历时 2.5V（在 250µA 下），确保对控制信号的良好响应。
驱动电压: STP40NF03L 具有 4.5V 和 10V 的最小 Rds(on) 驱动电压，能够兼容多种驱动电路的要求，适应性强。
功率耗散能力: 最大功率耗散能力为 70W（在适当的冷却条件下），确保在高负载时能保持稳定的性能。
输入电容: 在 25V 下的输入电容（Ciss）最大为 770pF，意味着这个元器件在开关频率较高的应用中也能够表现良好。
工作温度范围: STP40NF03L 的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 175°C，能够在极端环境下使用，适合许多工业及汽车应用。
封装类型: 采用 TO-220AB 封装，该封装结构有助于实现优良的散热性能，适合在功率要求较高的应用中使用。
应用领域
STP40NF03L 的设计使其在多个应用领域表现优异，包括但不限于：
- 电源管理: 作为开关元件，用于 DC-DC 转换器和电源调节器，提高电源的效率。
- 电动机控制: 用于电动机驱动电路中，提供高电流的切换能力，降低电源损耗。
- 消费电子: 可用于各种消费类电子产品，如计算机电源和音响设备强大功率需求的实现。
- 汽车应用: 在汽车电气系统中，满足对可靠性和高性能的严格要求，如电动助力转向和电池管理系统（BMS）。
总结
STP40NF03L 是一款高效的 N 沟道 MOSFET，凭借其优异的电气特性、广泛的工作温度范围和可靠的功率处理能力而受到广泛的认可和应用。无论是在高频开关电源、汽车电子还是其他工业应用中，STP40NF03L 都能够满足严苛的性能需求，为工程师提供了一个可靠的解决方案。