安装类型 | 通孔 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 80A |
栅极电荷 | 306nC | 输入类型 | 标准 |
IGBT 类型 | 沟槽型场截止 | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 650V |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 2V @ 15V,60A | 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 240A |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 开关能量 | 1.09mJ(开),626µJ(关) |
测试条件 | 400V,60A,5 欧姆,15V | 功率 - 最大值 | 375W |
25°C 时 Td(开/关)值 | 51ns/160ns | 反向恢复时间 (trr) | 60ns |
STGW60H65DFB是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能绝缘栅双极型晶体管(IGBT),其特点是兼备高电压和高电流的能力,非常适用于需要高效率和高可靠性的电力电子应用。作为一款沟槽型场截止IGBT,STGW60H65DFB设计用于监督高电流和高电压的操作,它的参数使其在多种电力转换应用中具备杰出的性能。
电气特性:
开关特性:
速度性能:
操作温度范围:
封装与安装类型:
STGW60H65DFB广泛应用于诸如电动机驱动、高频逆变器和开关电源等众多场合。其出色的电性能使其在以下具体应用场合中表现尤为突出:
综上所述,STGW60H65DFB是一款具备高电流、高电压及高温操作能力的沟槽型场截止IGBT,适合于各类高效电源转换领域。其优异的开关性能、低导通电压和宽温度范围,使得该IGBT在现代电力电子设计中占有重要地位,特别是在要求高效率、高可靠性的应用中。无论是在工业、能源还是电动汽车等领域,该元件都表现出先进的性能和广泛的应用潜力。