FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 180A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 2.5 毫欧 @ 60A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.8V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 180nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 12800pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 315W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | H2PAK-6 |
封装/外壳 | TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片) |
STH310N10F7-6 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。该元件设计用于高电压和大电流应用,具备卓越的导电性能和热管理能力,适合各种电源管理和高功率驱动电路,如DC-DC转换器、逆变器、电动机驱动以及高效能的开关电源等。
STH310N10F7-6 采用 H2PAK-6 封装形式,兼容 TO-263-7 和 D²Pak 格式的特殊型式。这种表面贴装封装设计不仅提供良好的散热性能,还能够减少电路板空间的占用,适合空间受限的应用场景。
STH310N10F7-6 不仅拥有优秀的电气和热性能,而且其高功率和高电压特性极大地满足了现代电子电路中对效率、可靠性和空间利用率的要求。它在电源管理、电动机驱动及高效能开关电源领域具有广泛的应用前景,是设计工程师们值得信赖的重要电子元件选择。