SCT3060ALGC11
SCT3060ALGC11参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 39A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 18V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 78 毫欧 @ 13A，18V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.6V @ 6.67mA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 58nC @ 18V |
| Vgs（最大值） | +22V，-4V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 852pF @ 500V |
| 功率耗散（最大值） | 165W（Tc） | 工作温度 | 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247N |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
SCT3060ALGC11手册
SCT3060ALGC11概述
SCT3060ALGC11 产品概述
一、产品简介
SCT3060ALGC11 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 通道硅碳化硅场效应管（SiCFET），其设计专为高压应用而优化，具备出色的性能和高效能。该器件采用了 TO-247N 封装，适用于各种需要高电流和高电压的电力转换和开关应用。
二、技术特点
漏源电压（Vdss）: SCT3060ALGC11 提供高达 650V 的漏源电压，意味着其不仅可用于常规电源转换器，还可应用于电动车、变频器等对电压要求高的场景。
连续漏极电流（Id）: 在 25°C 条件下，连续漏极电流可达 39A（Tc），确保该器件在重负载条件下依然稳定，适应严苛的工作环境。
导通电阻（Rds On）: 该器件在 13A 和 18V 下具有最大 78 毫欧的导通电阻，这一优异性能有助于降低开关损耗，提高系统的能源效率。
栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大值达 5.6V，意味着该器件需要较低的栅极电压即可导通，能有效降低驱动电路的设计复杂度，并减少输入功耗。
栅极电荷（Qg）: 在 18V 驱动下，最大栅极电荷为 58nC，优化的栅极特性有助于实现更高的开关频率，适合高效的开关电源设计。
输入电容（Ciss）: 在 500V 条件下，最大输入电容为 852pF，这意味着其在高频应用下有良好的响应性能，能够实现高效率的电源转换。
功率耗散（Pd）: 该器件的最大功率耗散可达 165W（Tc），确保器件在高功率条件下依然可靠地工作，适合大功率负载的需求。
广泛的工作温度范围: SCT3060ALGC11 的工作温度高达 175°C（TJ），使其在恶劣环境和高温应用中依然保持稳定性，具有优良的热管理能力。
三、应用场景
由于其独特的电气特性和高耐压性，SCT3060ALGC11 可广泛应用于以下领域：
电动汽车驱动系统: 该产品适合用于电动汽车的电机控制和电池管理系统，面对高电压和大电流的挑战依然可以保持稳定。
开关电源: 优秀的开关特性及低导通电阻使其成为高效开关电源设计的理想选择，特别是在工业电源和适配器中，从而提高整体系统效率。
变频器: 在工业和商用变频器中，此器件可有效转化和控制电能，为电机提供优质的驱动。
电力电子设备: 广泛应用于各种电力电子设备的设计中，如逆变器、整流器等，以实现更高的能量转换效率。
四、总结
SCT3060ALGC11 是一款高性能的 N 通道 SiCFET，由 ROHM 生产，具备出色的电气性能和宽广的应用范围。其高漏源电压、优异的持续电流能力、低导通电阻及高温稳定性使其成为电力电子领域特别是在电动汽车和高效开关电源等应用中不可或缺的重要元件。凭借其优良的性能和可靠性，SCT3060ALGC11 将为推动现代电子技术的发展和进步做出贡献。