SCT2120AFC 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

SCT2120AFC

商品编码: BM0084326760
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
TO-220AB
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) SCT2120AFC TO-220AB
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
51.09
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥51.09
--
10+
¥46.44
--
500+
¥44.23
--
6000+
产品参数
产品手册
产品概述

SCT2120AFC参数

FET 类型N 通道技术SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)650V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)29A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)18V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)156 毫欧 @ 10A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 3.3mA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)61nC @ 18V
Vgs(最大值)+22V,-6V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1200pF @ 500V
功率耗散(最大值)165W(Tc)工作温度175°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装TO-220AB
封装/外壳TO-220-3

SCT2120AFC手册

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SCT2120AFC概述

SCT2120AFC 产品概述

一、产品简介

SCT2120AFC 是来自于 ROHM(罗姆)公司的一款高性能 N 通道场效应管(MOSFET),采用碳化硅(SiC)技术制造,具有卓越的电气性能和高温工作能力,能够在多种高压和高电流的应用场景中提供稳定可靠的性能。其专门设计的 TO-220AB 封装不仅确保了优良的散热能力,还便于在各种电子设备中的安装。

二、技术规格

  1. FET 类型:N 通道
  2. 技术:SiC FET(碳化硅)
  3. 漏源电压 (Vdss):650V
  4. 连续漏极电流 (Id):29A(在热状态 Tc)
  5. 驱动电压:支持最大 Rds On 值,最小 Rds On 值为 18V
  6. 导通电阻:在 Id = 10A 和 Vgs = 18V 时,最大导通电阻为 156 毫欧
  7. 阈值电压 (Vgs(th)):在 Id = 3.3mA 时,最大阈值电压为 4V
  8. 栅极电荷 (Qg):在 Vgs = 18V 时,最大栅极电荷为 61nC
  9. 栅极到源极最大电压:+22V,-6V
  10. 输入电容 (Ciss):在 Vds = 500V 时,最大输入电容为 1200pF
  11. 功率耗散:最大功率耗散为 165W(在热状态 Tc)
  12. 工作温度:可承受高达 175°C 的工作温度(TJ)
  13. 安装类型:通孔
  14. 封装类型:TO-220AB

三、应用领域

SCT2120AFC 由于其较高的电压和电流承受能力,通常用于以下几种应用场景:

  1. 电源管理:在开关电源和直流-直流转换器中,SCT2120AFC 可以被用作高效的开关元件,实现高效能的电源转换。
  2. 电动汽车:随着电动汽车行业的快速发展,SCT2120AFC 的性能特别适合用于电池管理系统和电动驱动系统中,帮助实现高效的动力传输和能量转换。
  3. 工业自动化:在各种工业应用中,尤其是在需要高电流和高温环境的场合,SCT2120AFC 可作为驱动电机的开关元件,提升设备的整体效率。
  4. 光伏逆变器:在光伏发电系统中,SCT2120AFC 能够用于高效的逆变器设计,有助于将直流电转化为可用的交流电。

四、优势特点

  1. 高效率:由于采用碳化硅技术,SCT2120AFC 提供了比传统硅基 FET 更低的导通电阻(Rds On),进而提高了开关效率,减小了能量损耗。
  2. 宽工作温度范围:其高达 175°C 的工作温度能力,使其能够适应严苛的工作环境,延长设备使用寿命。
  3. 高耐压能力:650V 的漏源电压允许其在高压应用中发挥作用,保证了设计的灵活性。
  4. 可靠性:TO-220AB 封装设计提供良好的散热能力,提高元件的使用可靠性。

五、总结

SCT2120AFC MOSFET 是一款性能卓越的 N 通道场效应管,凭借其碳化硅技术的特性,具备高电压、高电流和高温度的耐受能力,适合广泛的应用场景。无论是在电源管理、电动汽车还是工业自动化中,SCT2120AFC 的优良性能使其成为设计工程师的理想选择。通过选择 SCT2120AFC,用户能够在提升效率和可靠性的同时,实现高性能的电气设计。