FET 类型 | N 通道 | 技术 | SiCFET(碳化硅) |
漏源电压(Vdss) | 650V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 29A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 18V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 156 毫欧 @ 10A,18V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 3.3mA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 61nC @ 18V |
Vgs(最大值) | +22V,-6V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1200pF @ 500V |
功率耗散(最大值) | 165W(Tc) | 工作温度 | 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
封装/外壳 | TO-220-3 |
SCT2120AFC 是来自于 ROHM(罗姆)公司的一款高性能 N 通道场效应管(MOSFET),采用碳化硅(SiC)技术制造,具有卓越的电气性能和高温工作能力,能够在多种高压和高电流的应用场景中提供稳定可靠的性能。其专门设计的 TO-220AB 封装不仅确保了优良的散热能力,还便于在各种电子设备中的安装。
SCT2120AFC 由于其较高的电压和电流承受能力,通常用于以下几种应用场景:
SCT2120AFC MOSFET 是一款性能卓越的 N 通道场效应管,凭借其碳化硅技术的特性,具备高电压、高电流和高温度的耐受能力,适合广泛的应用场景。无论是在电源管理、电动汽车还是工业自动化中,SCT2120AFC 的优良性能使其成为设计工程师的理想选择。通过选择 SCT2120AFC,用户能够在提升效率和可靠性的同时,实现高性能的电气设计。