SCT2280KEC
SCT2280KEC参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss） | 1200V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 18V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 364 毫欧 @ 4A，18V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1.4mA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 36nC @ 18V |
| Vgs（最大值） | +22V，-6V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 667pF @ 800V |
| 功率耗散（最大值） | 108W（Tc） | 工作温度 | 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
SCT2280KEC手册
SCT2280KEC概述
SCT2280KEC 产品概述
SCT2280KEC是一款高性能的N通道硅碳化硅（SiC）场效应管（MOSFET），由知名半导体制造商ROHM（罗姆）生产。该器件专为高电压和高温应用设计，具备出色的导通性能和热管理能力，广泛应用于电源转换、电动汽车、可再生能源和工业电力系统等领域。
产品特性
高电压能力： SCT2280KEC的漏源电压（Vdss）达到1200V，适合高电压系统的设计需求。这使得它可以在频繁的电压波动和高电压环境中稳定运行，提供可靠的电气隔离。
优异的导通性能： 在25°C的环境温度下，该MOSFET的连续漏极电流（Id）为14A（温度控制下）。在4A和18V的条件下，其最大导通电阻（Rds On）为364毫欧，这意味着在导通状态下的功耗较低，实现高效的能量转换。
宽工作温度范围： SCT2280KEC可在高达175°C的工作温度下稳定工作，适合严苛的环境条件。这一特性使其在高温操作的工业应用中表现突出，确保器件在高热环境下依然保持优良的性能。
高开关频率特性： 该器件的输入电容（Ciss）在800V时达到667pF，结合总栅极电荷（Qg）最大为36nC，这使得其具有较高的开关频率能力，有助于提高开关电源和逆变器等应用的效率。
适应性强的驱动电压： SCT2280KEC具有最大驱动电压为18V，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V @ 1.4mA，提供灵活的驱动选项，便于设计者根据实际需求进行调节。
封装与安装： 该器件采用TO-247-3封装，具有良好的热管理特性，适合通孔安装。TO-247封装可提供优秀的散热性能，适合需长时间运行和高功率的应用场合。
应用范围
SCT2280KEC的设计使得其在多个高科技领域中具备广泛的应用潜力：
- 开关电源：在各种电源管理系统中，如适配器、电源模块等，实现高效的能量转换。
- 电动汽车及充电系统：在电动汽车的逆变器和充电器中应用，支持快速充电和高效能量传递。
- 可再生能源：用于光伏逆变器中，提升能量转换效率，促进可再生能源的更大市场应用。
- 工业电机驱动：满足多种工业电机控制应用中的高效性、可靠性和耐用性需求。
总结
SCT2280KEC凭借其高压、高效能和高温工作能力，成为现代电子设计中的重要元件。其在高电压高电流应用中的独特优势，使得它不仅提升了系统的总体性能，也在能耗和经济性方面带来了显著改善。选择SCT2280KEC，无疑是当前和未来电气设计师和工程师考虑高效且可靠的电力解决方案时的理想选择。