FET 类型 | N 通道 | 技术 | SiCFET(碳化硅) |
漏源电压(Vdss) | 1200V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 18V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 585 毫欧 @ 3A,18V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 900µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 27nC @ 18V |
Vgs(最大值) | +22V,-6V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 463pF @ 800V |
功率耗散(最大值) | 85W(Tc) | 工作温度 | 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
1. 产品简介
SCT2450KEC 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,采用碳化硅(SiC)技术,具有高电压和高电流处理能力,广泛应用于高功率和高温环境下的功率电子设备。该器件能够在高达 1200V 的漏源电压下安全运行,同时支持最高 10A 的连续漏极电流,为各类电力转换和电源管理应用提供了可靠的解决方案。
2. 关键参数
3. 封装与安装
SCT2450KEC 采用 TO-247 封装,这种封装设计使得散热性能良好,便于高功率应用。安装类型为通孔设计,便于在较厚的电路板或者散热器上进行安装,确保了器件在高功率工作的稳定性。
4. 应用领域
SCT2450KEC 的设计特点使得其在多个领域有着广泛的应用潜力,包括:
5. 竞争优势
与传统硅基 MOSFET 相比,SCT2450KEC 由于其应用了先进的碳化硅技术,表现出更低的导通电阻和更高的热稳定性,从而能够在更高的频率和更高的电压下运行。这种材料的特性使得它在减小系统尺寸和提高功率密度方面表现卓越。
6. 小结
总的来说,SCT2450KEC 是一款综合性能卓越的 N 通道 MOSFET,适于高电压和高频率的电力电子应用,尤其是在面临高温和苛刻环境条件时表现稳定。其广泛的应用领域和卓越的性能特征,能够有效满足当前电力系统对于高效率和高可靠性的要求,是工程师们在设计高性能电源解决方案时的理想选择。