SCT2450KEC 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

SCT2450KEC

商品编码: BM0084326751
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
TO-247
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 85W 1.2kV 10A 1个N沟道 TO-247
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
29.57
按整 :
管(1管有360个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥29.57
--
10+
¥26.88
--
180+
¥25.61
--
2160+
产品参数
产品手册
产品概述

SCT2450KEC参数

FET 类型N 通道技术SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)1200V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)10A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)18V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)585 毫欧 @ 3A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 900µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)27nC @ 18V
Vgs(最大值)+22V,-6V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)463pF @ 800V
功率耗散(最大值)85W(Tc)工作温度175°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装TO-247
封装/外壳TO-247-3

SCT2450KEC手册

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SCT2450KEC概述

SCT2450KEC 产品概述

1. 产品简介

SCT2450KEC 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,采用碳化硅(SiC)技术,具有高电压和高电流处理能力,广泛应用于高功率和高温环境下的功率电子设备。该器件能够在高达 1200V 的漏源电压下安全运行,同时支持最高 10A 的连续漏极电流,为各类电力转换和电源管理应用提供了可靠的解决方案。

2. 关键参数

  • FET 类型: N 通道
  • 技术: 碳化硅 (SiC)
  • 漏源电压: 1200V
  • 连续漏极电流: 10A(在 25°C 时的温控点)
  • 驱动电压: 最大 Rds On 为 18V
  • 导通电阻: 在 Id = 3A、Vgs = 18V 时最大 Rds(on) 为 585mΩ,确保在开启状态下的能耗最小。
  • 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 4V(在 900µA 时测得),适合低驱动电压的应用场景。
  • 栅极电荷 (Qg): 在 Vgs = 18V 时最大值为 27nC,适合高速开关电路。
  • 输入电容 (Ciss): 最大值为 463pF(在 800V 时测得),有助于提高开关频率。
  • 功率耗散: 最大值为 85W(在 Tc 条件下)。
  • 工作温度范围: 此器件的工作温度可高达 175°C(TJ),适合在严苛操作环境中使用。

3. 封装与安装

SCT2450KEC 采用 TO-247 封装,这种封装设计使得散热性能良好,便于高功率应用。安装类型为通孔设计,便于在较厚的电路板或者散热器上进行安装,确保了器件在高功率工作的稳定性。

4. 应用领域

SCT2450KEC 的设计特点使得其在多个领域有着广泛的应用潜力,包括:

  • 开关电源: 适用于高效的电源变换系统,能够降低能量损耗。
  • 电动汽车: 在电动汽车的驱动系统中,能够满足高电压和高效率的需求。
  • 可再生能源: 在光伏逆变器和风能转换系统中,提供高效的电力转换功能。
  • 工业设备: 适合用于各类工业驱动和电源控制系统,提升系统的可靠性和效率。
  • 高温应用: 由于其高工作温度能力,适合在严酷环境中使用,如航空航天和军事应用。

5. 竞争优势

与传统硅基 MOSFET 相比,SCT2450KEC 由于其应用了先进的碳化硅技术,表现出更低的导通电阻和更高的热稳定性,从而能够在更高的频率和更高的电压下运行。这种材料的特性使得它在减小系统尺寸和提高功率密度方面表现卓越。

6. 小结

总的来说,SCT2450KEC 是一款综合性能卓越的 N 通道 MOSFET,适于高电压和高频率的电力电子应用,尤其是在面临高温和苛刻环境条件时表现稳定。其广泛的应用领域和卓越的性能特征,能够有效满足当前电力系统对于高效率和高可靠性的要求,是工程师们在设计高性能电源解决方案时的理想选择。