RBR1LAM60ATR 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

RBR1LAM60ATR

商品编码: BM0084326746
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
SOD-128
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
肖特基二极管 530mV@1A 60V 75uA@60V 1A SOD-128
库存 :
1260(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.546
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.546
--
200+
¥0.353
--
1500+
¥0.306
--
3000+
¥0.271
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

RBR1LAM60ATR参数

安装类型表面贴装型二极管类型肖特基
速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)电流 - 平均整流 (Io)1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)530mV @ 1A电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)60V
工作温度 - 结150°C(最大)不同 Vr 时电流 - 反向泄漏75µA @ 60V

RBR1LAM60ATR手册

RBR1LAM60ATR概述

RBR1LAM60ATR 产品概述

一、产品简介

RBR1LAM60ATR是一款高性能的表面贴装型肖特基二极管,由知名品牌ROHM(罗姆)制造。这款二极管以其出色的整流特性和低正向压降,广泛应用于各种电子设备中,尤其适合用于高频率和高效率的电源管理模块。

二、主要参数

  • 安装类型: 表面贴装型 (SMD)
  • 二极管类型: 肖特基二极管
  • 快速恢复时间: ≤ 500ns
  • 最大平均整流电流 (Io): 1A
  • 正向电压 (Vf): 530mV @ 1A
  • 最大反向直流电压 (Vr): 60V
  • 反向泄漏电流: 75µA @ 60V
  • 工作温度范围: 结温最大150°C
  • 封装形式: SOD-128

三、工作原理

肖特基二极管以其独特的结构设计,在PN结中引入金属半导体接触,使得其具有非常低的正向压降和快速的开关特性。这使得RBR1LAM60ATR在线性工作区内表现出色,能够在较低的能量损耗下实现高效的电能传递。这一点对于提升电源的整体效率至关重要。

四、应用领域

  1. 电源管理: 由于其具有较低的正向压降和快速恢复特性,RBR1LAM60ATR尤其适合在开关电源(SMPS)和DC-DC变换器中用作整流二极管,以提高系统的能量效率。

  2. 电池充电器: 在电池充电器中,采用肖特基二极管能有效减少在充电过程中的能量损失,提升充电效率,使得充电速度更快。

  3. 反向保护电路: 其快速的反应时间和较低的反向泄漏电流,使得该二极管非常适合用于保护电路,防止反向电流对其他元器件造成损害。

  4. LED驱动: 在LED驱动电路中,RBR1LAM60ATR可用于提升整个电路的功率效率,确保LED的稳定供电。

  5. ** A/V设备**: 在音响及视频应用中,RBR1LAM60ATR的快速切换能力和低噪声特性,能够有效改善信号的质量,防止电源干扰导致的性能下降。

五、性能优势

  • 低正向压降: 530mV@1A的正向电压使得RBR1LAM60ATR在高电流应用中表现出色,可以显著降低系统的能源损耗,并提高能量的传输效率。

  • 高电流承载能力: 该器件设计支持至多1A的整流电流,能够满足各种高功率应用的需求。

  • 高反向电压: 最大反向电压为60V,使得RBR1LAM60ATR适合在多种高电压场合中使用,保障了电路的安全性与可靠性。

  • 宽工作温度范围: 结温最大可达150°C,确保其在高温环境下的稳定工作,适应各种苛刻的工作条件。

六、总结

RBR1LAM60ATR是一款出色的肖特基二极管,凭借其高效率、稳健的性能和广泛的应用范围,已成为现代电子设计中不可或缺的关键元件。无论是在电源管理、充电设备、反向保护等多个领域,其表现均值得信赖。ROHM(罗姆)的制造工艺确保了该产品在性能、稳定性与可靠性上的优越性,为用户提供了一个理想的选择。