KSC5026MOS
KSC5026MOS参数
| 晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 1.5A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 800V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 2V @ 150mA，750mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 10µA（ICBO） | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 20 @ 100mA，5V |
| 功率 - 最大值 | 20W | 频率 - 跃迁 | 15MHz |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-225AA，TO-126-3 | 供应商器件封装 | TO-126-3 |
KSC5026MOS手册
KSC5026MOS概述
KSC5026MOS 产品概述
概述
KSC5026MOS是一款高性能的NPN晶体管，具有出色的电气特性和热稳定性，广泛应用于高压和高功率的电子电路中。其最大集电极电流为1.5A，集射极击穿电压高达800V，适合用于电源转换、电机控制及其他高功率应用场合。该产品采用通孔安装方式，封装类型为TO-126-3，便于在不同的电路板设计中实现灵活的布局和高效的散热。
主要参数指标
- 晶体管类型: NPN
- 最大集电极电流 (Ic): 1.5A
- 集射极击穿电压 (Vce): 800V
- 饱和压降 (Vce(sat)): 最大值为2V，@150mA和750mA时
- 集电极截止电流 (Icbo): 最大值为10µA，表现出优异的截止特性
- 直流电流增益 (hFE): 最小值为20 @ 100mA，5V，确保良好的放大能力
- 最大功率: 20W，适用于各种功率驱动应用
- 频率 - 跃迁: 最高可达15MHz，适合高频应用
- 工作温度范围: 最高工作温度可达150°C，提供了良好的耐热性
封装与安装
KSC5026MOS采用TO-126-3封装，具有良好的热传导性能。通孔安装方式使得在设备中配置和焊接变得十分方便，确保产品在高温和高功率运作下的稳定性。此外，TO-126封装相对较小，使其非常适合于空间受限的应用场合。
应用场景
KSC5026MOS晶体管的特性使其适用于多种高压高功率的应用场景，例如：
电源转换器: 在开关电源和电压转换器中，作为开关元件工作，能够有效调节电流和电压，提供稳定的输出。
电机驱动: 在直流电机控制中，作为驱动开关，提高电机控制的效率和反应速度。凭借其较高的集电极电流能力，确保电机启动和运行过程中的稳定性能。
放大电路: 由于其良好的电流增益特性，可以用于音频放大器和信号放大电路中，保证信号的饱满和清晰。
其他高功率应用: 可用于工业设备和消费电子产品中的功率放大与驱动，广泛应用于电视、音响等设备中，提高功率输出和稳定性。
竞争优势
KSC5026MOS晶体管在市场同类产品中具有多项竞争优势：
高电压与高电流承载能力: 800V的击穿电压和1.5A的集电极电流使其在高压高功率应用中具有绝对优势，满足更高要求的电路设计。
优良的散热性能: TO-126-3封装提供了良好的散热能力，允许在高功率状态下工作而不易出现过热的问题。
最低的截止电流: 10µA的截止电流特性为电路提供了更高的可靠性，减少了静态电流损耗。
丰富的应用空间: 适用于从家电到工业设备的广泛领域，兼具通用性和高效性。
结论
KSC5026MOS是一款技术先进、性能卓越的NPN晶体管，特别适用于高压、高功率的电子应用场合。凭借其出色的电气性能和灵活的封装设计，它为电子工程师在开发新的电气设备和改进现有产品时提供了可靠的选择。无论是在电源供应、马达驱动还是其它高频电路中，KSC5026MOS都将是提升性能的优秀组件。