FDBL86063_F085

产品概述：FDBL86063_F085

一、引言

FDBL86063_F085 是一款高性能 N 通道 MOSFET（MOSFET: Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），由安森美（ON Semiconductor）制造。该元器件专为需要高电流和高电压处理的应用而设计，广泛应用于电源管理、直流-直流转换器和电机驱动等领域。其优秀的电气特性和宽广的工作温度范围，使其在严苛环境下仍能保持稳定可靠的性能。

二、基本参数

1. FET 类型：N 通道
2. 技术：MOSFET
3. 漏源电压（Vdss）：100V，适用于中高压直流供电的设备。
4. 连续漏极电流 (Id)：在 25°C 的情况下可达到 240A，表明其强大的承载能力。
5. 驱动电压：最小 Rds On 和最大 Rds On 均为 10V，这使其在开关操作时表现出色。
6. 导通电阻：在 80A、10V 的条件下，最大 Rds On 为 2.6 毫欧，降低了能量损耗，提高了系统效率。
7. 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大值为 4V @ 250µA，这在低电压驱动条件下提供了良好的开关控制。
8. 栅极电荷（Qg）：在 10V 的条件下最大为 95nC，提供了快速开关响应，适合高频应用。
9. 输入电容（Ciss）：在 50V 时，最大为 5120pF，适合高频切换，提高了开关效率。
10. 功率耗散：最大为 357W，在高电流应用中，确保 MOSFET 的可靠性。
11. 工作温度范围：-55°C ~ 175°C，适合于严苛或极端的环境条件。
12. 安装类型：表面贴装型（SMD），适合现代电子设备的小型化趋势。
13. 封装类型：8-HPSOF，提供了节省空间的同时，优化了散热性能。

三、应用领域

FDBL86063_F085 具有强大的电源处理能力，适合多种应用场景：

1. 电源管理系统：在高效能电源转换器和逆变器中使用，优化能量转换效率。
2. 电动汽车：广泛应用于电动汽车的动力系统和充电装置。
3. 工业设备：适用于大功率电机和驱动应用，保证设备的稳定运行。
4. 消费电子：在高功率需求的消费电子产品中，提供持久而高效的性能。

四、产品优势

• 高功率密度：高达 240A 的连续漏极电流，适用于高性能和高可靠性要求的应用。
• 低导通电阻：仅 2.6 毫欧的导通电阻，降低了功率损耗，提升了整体效率。
• 宽广的工作温度范围：-55°C 到 175°C 的极高工作温度范围，应对各种恶劣环境。
• 快速的开关性能：95nC 的栅极电荷支持高频操作，适合高效能转化需求。
• 稳定的电气特性：经过严格测试，确保在各种条件下的可靠性能。

五、总结

FDBL86063_F085 是一款卓越的 N 通道 MOSFET，凭借其优越的电气性能、广泛的应用领域以及良好的工作温度范围，在现代电子应用中展现出了强大的竞争力。无论是电源管理、电动汽车，还是工业自动化设备，它都能提供理想的解决方案，助力行业进步与创新。选择 FDBL86063_F085，您将获得卓越性能与可靠性并存的产品选择。