FDS6898AZ

FDS6898AZ 产品概述

产品名称：FDS6898AZ
类型：N沟道MOSFET
封装类型：8-SOIC （0.154英寸，3.90mm宽）
品牌：ON Semiconductor（安森美）

1. 产品特性

FDS6898AZ是一款高性能的双N通道场效应管（MOSFET），专为各种电子应用而设计。作为逻辑电平门，该产品具有优异的电性能，适合用于驱动、开关电源和其他低电平逻辑应用。其特点包括：

• 高漏极源电压：最大漏源电压（Vdss）为20V，适合低电压应用。
• 高电流承载能力：在25°C的环境温度下，连续漏极电流（Id）可达9.4A，使其能够满足多种应用中的高电流需求。
• 低导通电阻：在9.4A和4.5V的条件下，其最大导通电阻仅为14毫欧，确保低功耗和高效率的性能。
• 低阈值电压：Vgs(th)最大值为1.5V（在250µA下），使其能在低电压驱动下良好工作，适用于逻辑电平驱动。
• 优化的栅极电荷：在4.5V的条件下，栅极电荷（Qg）最大值为23nC，确保快速开关性能，适合高频应用。

2. 电气参数

• 漏源电压 (Vdss): 20V
• 连续漏极电流 (Id): 9.4A @ 25°C
• 导通电阻 (最大值): 14mΩ @ 9.4A, 4.5V
• 阈值电压 (Vgs(th)): 1.5V @ 250µA
• 栅极电荷 (Qg): 23nC @ 4.5V
• 输入电容 (Ciss): 1821pF @ 10V
• 功率最大值: 900mW
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C

3. 应用场景

FDS6898AZ MOSFET的设计使其在多个应用场景中表现优异，包括但不限于：

• 开关电源：由于其低导通电阻和高电流承载能力，FDS6898AZ能够有效提供稳定的功率输出，保证电源的效率。
• 电动机驱动：适合用于直流电动机的H桥驱动电路，能够处理较大的电流，并有效降低发热。
• 逻辑电路：其低阈值电压和逻辑电平特点，使其适合用于数字电路，提供快速开关性能。
• 输出级驱动：可用于驱动LED等负载，确保在低电平信号下也能实现有效的功率控制。

4. 封装与安装

FDS6898AZ采用8-SOIC封装，表面贴装设计便于自动化生产，尺寸适中，适合空间要求较高的现代电子设备中使用。其封装设计有效散热，能够支持较高的工作功率。

5. 结论

FDS6898AZ是一款性价比高的N通道MOSFET，凭借其坚固的性能、广泛的应用潜力和出色的可靠性，适合用于多种电子设计中。无论是在开关电源、马达控制还是逻辑电平电路中，该器件均能提供卓越的表现，帮助设计师实现高效和低功耗的电子产品设计。安森美的FDS6898AZ是工程师在选用MOSFET时的理想选择，满足多种应用需求，确保电子系统的稳定与高效工作。