通道数 | 1 | 输入 - 侧 1/侧 2 | 1/0 |
电压 - 隔离 | 3750Vrms | 共模瞬变抗扰度(最小值) | 20kV/µs |
输入类型 | DC | 输出类型 | 开集,肖特基箝位 |
电流 - 输出/通道 | 50mA | 数据速率 | 10Mbps |
传播延迟 tpLH / tpHL(最大值) | 80ns,80ns | 上升/下降时间(典型值) | 20ns,10ns |
电压 - 正向 (Vf)(典型值) | 1.45V | 电流 - DC 正向 (If)(最大值) | 50mA |
电压 - 供电 | 3V ~ 5.5V | 工作温度 | -40°C ~ 110°C |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-SOIC(0.173",4.40mm 宽),5 引线 |
供应商器件封装 | 5-Mini-Flat |
FODM8061R2V是由ON Semiconductor(安森美)制造的一款高性能逻辑输出光耦合器。它具有单通道设计,能够在严苛的电气环境下提供优异的操作性能,广泛应用于数据通信、工业控制和电子设备等多个领域。FODM8061R2V兼具高隔离电压和快速数据传输速率,使其成为现代电子应用的理想选择。
通道数: FODM8061R2V具备1个光耦通道,适合需要单通道逻辑转换的应用。
电压隔离: 本产品的电压隔离达到3750Vrms,能够有效防止高电压环境对电子元器件的干扰,确保系统的安全性和稳定性。这一高隔离电压使得FODM8061R2V非常适合用于变频器、电力设备和电气传感器等大电流和高电压的应用场合。
共模瞬变抗扰度: FODM8061R2V的最小共模瞬变抗扰度为20kV/µs,表现出极强的抗干扰能力,能够在高电磁干扰环境中正常工作。
输入与输出类型: 该光耦输入类型为直流(DC),输出为开集输出,且具有肖特基箝位,有助于快速响应和稳定的信号整形。它的输出电流可以达到50mA,适合驱动较小的负载或直接与逻辑电路接口。
数据速率: FODM8061R2V的最高数据传输速率为10Mbps,能够满足大多数高频信号传输需求,适用于数据采集和高速度控制系统。
传播延迟: 产品在tpLH和tpHL两种传播延迟情况下的最大值为80ns,迅速的信号传递确保系统的反应灵敏,适用于要求精确时间控制的应用。
上升/下降时间: 上升时间和下降时间的典型值分别为20ns和10ns,进一步优化了信号的传输速率,特别是在数据密集型的应用中。
电源电压: FODM8061R2V的供电电压范围为3V至5.5V,适应多种系统需求,方便与微控制器和其他数字逻辑电路的集成。
工作温度: 该光耦的工作温度范围广泛,达到-40°C至110°C,适合各种极端环境下的使用,特别是在工业和汽车等领域。
封装与安装: 使用表面贴装技术(SMD)进行安装,方便大规模生产和应用。采用6-SOIC封装形式,面积小,便于集成设计,适合需要节省空间的应用场合。
FODM8061R2V的特性使其在以下场景中表现出色:
FODM8061R2V是一款性能卓越的逻辑输出光耦,以其高隔离电压、优异的抗干扰能力和快速数据传输特性,为驱动和控制应用提供了强有力的支持。无论是工业控制还是消费电子,选择FODM8061R2V都能有效提升系统的可靠性和性能,为现代电子设计提供了可靠保障。