PMBF4393,215 产品实物图片
PMBF4393,215 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

PMBF4393,215

商品编码: BM0084326609
品牌 : 
NXP(恩智浦)
封装 : 
SOT-23(TO-236AB)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.28
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.28
--
50+
¥0.985
--
1500+
¥0.896
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

PMBF4393,215参数

FET 类型N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)40V
漏源电压(Vdss)40V不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)5mA @ 20V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)500mV @ 1nA不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)14pF @ 20V
电阻 - RDS(On)100 Ohms功率 - 最大值250mW
工作温度150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装SOT-23(TO-236AB)

PMBF4393,215手册

empty-page
无数据

PMBF4393,215概述

PMBF4393,215 产品概述

PMBF4393,215 是 NXP(恩智浦)公司推出的一款高性能 N 通道场效应管(FET),以其优越的电气性能和广泛的应用适应性而受到设计工程师的青睐。该器件采用超小型的 SOT-23(TO-236AB)封装,适合各种空间受限的电子设备应用。

1. 基本特性及参数

PMBF4393,215 的主要电气参数包括:

  • FET 类型: N 通道,适合多种开关和放大应用。
  • 击穿电压 (V(BR)GSS): 40V,确保设备在高压环境中的稳定性和安全性。
  • 漏源电压 (Vdss): 40V,提供优秀的隔离性能,有助于提高应用电路的抗干扰能力。
  • 漏极电流 (Idss): 5mA @ 20V,相对较高的漏电流在需要小信号的应用场合十分有效。
  • 截止电压 (VGS off): 500mV @ 1nA,适合高灵敏度电路,能够实现高效的开关操作。
  • 输入电容 (Ciss): 最大值为 14pF @ 20V,这一较小的电容值使得器件在高速开关操作时表现优异,有助于提高开关频率。
  • 导通电阻 (RDS(On)): 100 Ohms,确保在导通状态下低功耗和高效率。
  • 最大功率: 250mW,适用于多种功率需求的应用。
  • 工作温度范围: 150°C,适合高温环境中的应用,尤其是在汽车和工业电子领域。

2. 封装及安装

PMBF4393,215 采用 SOT-23(TO-236AB)封装,具备小型化特性,方便在板上布局,设计人员可以在空间有限的应用中灵活使用。表面贴装型的设计使得该器件非常适合现代自动化生产线的焊接工艺,确保了高效的生产能力和良好的可靠性。

3. 应用场景

PMBF4393,215 在多个领域均有广泛应用,主要包括但不限于:

  • 移动设备: 适合用于手机、平板电脑等移动电子设备的开关控制和信号放大。
  • 汽车电子: 由于其高工作温度和良好抗干扰特性,适用于汽车内电子组件,如传感器、控制模块以及电动汽车的电力管理系统。
  • 消费电子: 可用于家用电器如洗衣机、空调等的检测和控制系统。
  • 工业自动化: 在工业控制系统中,用于开关控制和信号调节,确保高效的设备运行。

4. 性能优势

PMBF4393,215 的设计充分考虑到现代电子应用对高性能、小尺寸和高效率的需求。其低导通电阻和高击穿电压的特性,使得该器件在开关操作时表现出色,能够有效降低能耗,提高系统整体效率。此外,工作在高温环境下的能力,确保器件在严苛条件下依然可靠,这对于需要长期稳定运行的设备至关重要。

5. 总结

综合来看,PMBF4393,215 是一款性能卓越、适用范围广泛的 N 通道 FET,特别适合需要高灵敏度、高效电源管理及信号处理的现代电子产品。凭借其小型化的封装和优异的电气参数,PMBF4393,215 为设计工程师提供了可行的解决方案,适用于多个不同的行业和应用场景。对于任何需要高性能和高可靠性的电子设计来说,PMBF4393,215 都是一个极具吸引力的选择。