FET 类型 | N 通道 | 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) | 40V |
漏源电压(Vdss) | 40V | 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss) | 5mA @ 20V |
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) | 500mV @ 1nA | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 14pF @ 20V |
电阻 - RDS(On) | 100 Ohms | 功率 - 最大值 | 250mW |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23(TO-236AB) |
PMBF4393,215 是 NXP(恩智浦)公司推出的一款高性能 N 通道场效应管(FET),以其优越的电气性能和广泛的应用适应性而受到设计工程师的青睐。该器件采用超小型的 SOT-23(TO-236AB)封装,适合各种空间受限的电子设备应用。
PMBF4393,215 的主要电气参数包括:
PMBF4393,215 采用 SOT-23(TO-236AB)封装,具备小型化特性,方便在板上布局,设计人员可以在空间有限的应用中灵活使用。表面贴装型的设计使得该器件非常适合现代自动化生产线的焊接工艺,确保了高效的生产能力和良好的可靠性。
PMBF4393,215 在多个领域均有广泛应用,主要包括但不限于:
PMBF4393,215 的设计充分考虑到现代电子应用对高性能、小尺寸和高效率的需求。其低导通电阻和高击穿电压的特性,使得该器件在开关操作时表现出色,能够有效降低能耗,提高系统整体效率。此外,工作在高温环境下的能力,确保器件在严苛条件下依然可靠,这对于需要长期稳定运行的设备至关重要。
综合来看,PMBF4393,215 是一款性能卓越、适用范围广泛的 N 通道 FET,特别适合需要高灵敏度、高效电源管理及信号处理的现代电子产品。凭借其小型化的封装和优异的电气参数,PMBF4393,215 为设计工程师提供了可行的解决方案,适用于多个不同的行业和应用场景。对于任何需要高性能和高可靠性的电子设计来说,PMBF4393,215 都是一个极具吸引力的选择。