功率(Pd) | 1.5W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 20pF@50V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 170mΩ@4.5V,3A |
工作温度 | -55℃~+175℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 20nC@50V |
漏源电压(Vdss) | 100V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 650pF@50V | 连续漏极电流(Id) | 3A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
NCE0103Y是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),其设计功率额定为1.5W,能够承受最大工作电压100V,并且最大电流可达3A。作为一种重要的电子元器件,NCE0103Y适用于多种电源管理及开关调控的应用场景,特别是在高效能、低耗能的电路中发挥着重要作用。
NCE0103Y采用紧凑的SOT-23-3L封装,这种封装形式适合于大规模生产和小型化设计。其小巧的尺寸使其能够方便地被集成进密集的电路板中,减少空间占用,同时保持良好的散热性能。适用于以下应用场景:
在使用NCE0103Y时,需注意以下几点:
NCE0103Y是一款功能强大的N沟道MOSFET,具有良好的电气性能和广泛的应用场景。它不仅适合于一般的电源管理和开关控制,还能够满足高效率和高可靠性的工业和消费类电子产品需求。选择NCE0103Y将为您的电路设计提供现代化、智能化的解决方案,帮助实现更高的能源利用率和更低的运作成本。