功率(Pd) | 2W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 110pF@20V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 80mΩ@10V,5A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 26nC@30V |
漏源电压(Vdss) | 60V | 类型 | 1个N沟道+1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.45nF@20V | 连续漏极电流(Id) | 6A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
NCE603S 是新洁能(NCE)推出的一款高性能场效应管(MOSFET),其特点是包含一个N沟道和一个P沟道的集成设计,封装采用了常见的SOP-8。这款MOSFET适用于多种电源管理和开关电路的应用,提供出色的导通性能和低导通电阻。其额定功率为2W,具备优秀的散热能力,能够在高达60V的电压下稳定运行。
由于具有良好的性能,NCE603S 被广泛应用于以下领域:
NCE603S 是一款高效、可靠的MOSFET,具备N沟道和P沟道集成的优点,适合于多种电子应用领域。其低导通电阻、高电流承受能力和广泛电压范围,使其成为电源管理、马达驱动和LED驱动等关键应用中的理想选择。无论是在性能还是在可靠性上,NCE603S 均表现出色,能够满足现代电子设备对高效率、低能耗的要求。同时,该产品的SOP-8封装形式帮助设计师在PCB布局中节省空间,提高设计灵活性。
NCE603S 的性能优势和应用广泛性使其成为当今市场上不可或缺的重要电子元器件,对于提升电路效率和性能指标具有重要意义。