电容 | 6.8pF | 容差 | ±0.1pF |
电压 - 额定 | 50V | 温度系数 | C0G,NP0 |
工作温度 | -55°C ~ 125°C | 特性 | 高 Q 值,低损耗 |
应用 | RF,微波,高频 | 安装类型 | 表面贴装,MLCC |
封装/外壳 | 0402(1005 公制) | 大小 / 尺寸 | 0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm) |
厚度(最大值) | 0.022"(0.55mm) |
产品概述:GJM1555C1H6R8BB01D - 贴片电容器
一、简介
GJM1555C1H6R8BB01D 是一款高性能的多层陶瓷电容器(MLCC),由知名电子元器件制造商村田(muRata)生产。该电容器具有卓越的电气特性和广泛的应用潜力,特别是在高频和微波频段。其精确的电容值,使其成为射频电路设计和微波应用中的理想选择。
二、基础参数
电容量和容差:该电容器的电容量为6.8皮法(pF),并具有±0.1pF的高精度容差。高精度的电容值能够确保电路的稳定性和良好的性能表现,适合用于需要严格控制的高频信号路径。
额定电压:GJM1555C1H6R8BB01D具有50V的额定电压,能够在多种工作环境中保持安全运行。这一参数对于防止电路中的击穿风险尤为重要,确保系统在超出正常工作条件时的可靠性。
温度特性:采用C0G(NP0)温度特性的陶瓷材料,使得该电容在宽广的温度范围内(-55°C至125°C)展现出极低的温度漂移,其电容值几乎不随温度的变化而变化。这一特性使得GJM1555C1H6R8BB01D特别适合用于高精度应用,如无线通信和高频传输。
高 Q 值与低损耗:该电容器表现出高 Q 值,意味着其在共振频率下的损耗极低,因此在射频和微波应用中,对于提升信号质量和传输效率具有显著优势。
三、应用领域
GJM1555C1H6R8BB01D 主要应用于以下领域:
射频(RF)电路:在射频电路中,电容器常用于滤波、耦合和去耦电路中。其高 Q 值和低损耗特性确保了在高频信号处理中的高效能。
微波技术:由于其极低的介电损耗和优秀的稳定性,该电容器被广泛用于微波发射和接收系统,能够有效传输和接收微波信号。
高频通信:适合各种无线通信设备,包括移动通信基站、局域网设备等,在这些设备中,电容器起到滤波、耦合及去耦的作用。
高精度电路:在需要高精度和高稳定性的计量设备及传感器应用中,该电容器是理想选择。
四、结构与封装
GJM1555C1H6R8BB01D采用0402(1005公制)封装类型,尺寸为1.00mm x 0.50mm,厚度为0.55mm。这种表面贴装(SMD)类型的设计便于自动化生产和装配,极大地提高了生产效率。
五、总结
GJM1555C1H6R8BB01D 以其6.8pF的电容、±0.1pF的精准容差和50V的额定电压,结合C0G(NP0)材料的优异温度系数,提供了极低的介电损耗和高 Q 值特性。这使得它成为RF和微波高频应用的理想选择。无论是在高频通信、微波技术还是高精度电路中,这款电容器都能提供可靠的性能支持。村田品牌的质量保证,进一步增强了其在电子制造领域的竞争力与信赖度,为客户提供极大的应用灵活性与设计自由度。