SPW20N60C3
SPW20N60C3参数
| 功率(Pd) | 208W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 50pF |
| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 190mΩ@10V,13.1A |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 114nC@10V |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | 类型 | 1个N沟道 |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.4nF@25V | 连续漏极电流(Id) | 20.7A |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.9V@1000uA |
SPW20N60C3手册
SPW20N60C3概述
产品概述：SPW20N60C3 MOSFET
一、基本信息
型号：SPW20N60C3
类型：N沟道场效应管 (MOSFET)
功率：208W
电压：650V
电流：20.7A
封装：TO-247AC-3
品牌：Infineon（英飞凌）
二、产品特点
SPW20N60C3是一款高性能的N沟道MOSFET，专为高压和高功率应用设计。其主要参数包括650V的额定最大耐压值，20.7A的持续工作电流，以及208W的最大功率处理能力。MOSFET采用TO-247封装，适合大功率应用中散热需要较好的场合。
高耐压特性：650V的高耐压能力使得SPW20N60C3能够广泛应用于电源转换器、电机驱动和大功率开关等需要高电压支撑的领域。
低导通电阻：该器件具有较低的R_DS(on)值，这不仅确保了高效的能量传输，也在开关操作时减小了功耗，提升了系统的整体效率。
高散热能力：采用TO-247封装的SPW20N60C3，具有优良的散热效果，使其在高功率操作时仍能保持良好的工作稳定性，降低了故障风险。
快速开关性能：Thanks to the optimized gate charge characteristics, SPW20N60C3 supports fast switching applications, which is essential in high-frequency inverter designs.
三、应用领域
SPW20N60C3广泛应用于各类电子设备及系统中，尤其适合于以下几个领域：
开关电源：在开关电源中，SPW20N60C3可作为主要的开关元件，实现高效的电能转换。
直流-直流转换器：在DC-DC转换器的设计中，高耐压和低导通电阻特性确保了能效的最大化，满足了不同负载条件下的供电需求。
类电机驱动：MOSFET支持的驱动电路能够有效控制电机的启停与调速，广泛应用于工业自动化、机器人和电动车辆驱动系统中。
电源管理系统：在电源管理IC（PMIC）的设计中，SPW20N60C3可以被用作高效的开关控制，实现电能的有效分配。
可再生能源：在太阳能逆变器和风能发电系统中，SPW20N60C3的高开关频率和耐压特性使其成为理想选择，推动了可持续能源的发展。
四、技术参数
- 最大漏极-源极电压 (V_DS)：650V
- 最大漏极电流 (I_D)：20.7A
- 导通电阻 (R_DS(on))：一般值为0.25Ω（具体值视具体条件而定）
- 最大功耗 (P_D)：208W
- 开关频率：可根据应用需求，支持高频开关到几十千赫兹。
五、总结
SPW20N60C3作为Infineon推出的一款高性能N沟道MOSFET，凭借650V的高耐压、20.7A的高电流承载能力及208W的功率处理能力，成为了电源管理、开关电源、以及驱动应用中的理想选择。其良好的散热性能以及开关特性使其在实际应用中表现出色，能够满足现代电子设备中对高效能和高可靠性的严格要求。
由于其优异的性能及广泛的应用潜力，SPW20N60C3将继续在电气工程师的设计工作中发挥重要作用，推动各行业的电气技术创新与进步。