IS61WV6416EEBLL-10TLi 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IS61WV6416EEBLL-10TLi

商品编码: BM0084326338
品牌 : 
ISSI(美国芯成)
封装 : 
44-TSOP II
包装 : 
托盘
重量 : 
-
描述 : 
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
6.33
按整 :
托盘(1托盘有1350个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥6.33
--
50+
¥5.28
--
675+
¥4.8
--
8100+
产品参数
产品手册
产品概述

IS61WV6416EEBLL-10TLi参数

存储器类型易失存储器格式SRAM
技术SRAM - 异步存储容量1Mb (64K x 16)
存储器接口并联写周期时间 - 字,页10ns
访问时间10ns电压 - 供电2.4V ~ 3.6V
工作温度-40°C ~ 85°C(TA)安装类型表面贴装型
封装/外壳44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)供应商器件封装44-TSOP II

IS61WV6416EEBLL-10TLi手册

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无数据

IS61WV6416EEBLL-10TLi概述

产品概述:IS61WV6416EEBLL-10TLi

IS61WV6416EEBLL-10TLi是一款由ISSI(美国芯成)生产的高性能异步静态随机存取存储器(SRAM)。该产品采用44-TSOP II封装,适用于需要高存储速度与较低功耗的应用场景,广泛应用于通信、消费电子、工业控制等领域。

产品特点

1. 存储容量与结构: IS61WV6416EEBLL-10TLi具备1Mb的存储容量,以64K x 16的格式组织数据。这种双字(16位)的数据结构,能够高效地保存和处理大量信息,适合于多种应用数据缓存和临时存储。

2. 高速性能: 该SRAM的访问时间为10纳秒,写周期时间同样为10纳秒。这使得IS61WV6416EEBLL-10TLi能够满足对数据处理速度要求较高的应用,能够在快速响应和实时数据处理的场合中保持优异的性能表现。

3. 电气特性: 该产品的工作电压范围在2.4V至3.6V之间,符合低电压操作的标准,适合用于便携设备及节能应用。其低功耗特性在降低系统功耗的同时,也对电池寿命起到积极的延长作用。

4. 温度范围: IS61WV6416EEBLL-10TLi在-40°C至85°C的广泛工作温度范围内能够稳定运行,使其适合于严苛的工业和汽车环境,在高温或低温环境中均可保证正常工作,增强了产品的适用性与可靠性。

5. 封装与安装: 该产品采用44-TSOP II封装,尺寸为0.400英寸(10.16mm宽),支持表面贴装(SMD)安装。这种封装形式不仅占用空间小,而且便于高速PCB布线构造,提高了系统整体的设计灵活性。

应用领域

IS61WV6416EEBLL-10TLi的高性能特性使它在多种领域具有广泛的应用潜力,包括但不限于:

  • 通信设备: 在路由器、交换机及其他网络设备中,用于临时数据存储和缓存。
  • 工业控制: 在自动化系统中,作为数据缓冲和高速处理的存储解决方案。
  • 消费电子: 在现代家居设备中,如电视、机顶盒及其他多媒体设备中,提供临时存储空间。
  • 数据采集: 在传感器和仪器设备中,用于快速数据采集和处理。

结论

IS61WV6416EEBLL-10TLi是一个高效、高速、低功耗的SRAM解决方案,适合多种要求严格的存储场合。其1Mb的容量、10纳秒的访问与写入时间以及广泛的工作温度范围使得该产品成为各种高性能应用的理想选择。随着技术的发展,该产品在现代电子设备中将继续发挥着重要的作用,帮助推动高效能电子系统的设计与发展。