FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 120A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 6 毫欧 @ 75A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 150µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 170nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 6860pF @ 50V |
功率耗散(最大值) | 250W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
封装/外壳 | TO-220-3 |
IRFB4310ZPBF是一款高性能的N沟道MOSFET(金属氧化物场效应管),由知名半导体制造商Infineon(英飞凌)提供。这款器件的设计专注于高效率、高功率应用,特别适合需要100V漏源电压和120A连续漏极电流的场合。IRFB4310ZPBF的封装类型为TO-220,具备较好的散热性能,适合通孔安装,便于在各种电子产品中使用。
IRFB4310ZPBF广泛应用于多个领域,主要包括:
IRFB4310ZPBF是一款高性能的N沟道MOSFET器件,凭借其卓越的电气特性和广泛的应用前景,成为电源管理和电动机控制领域的理想选择。其低导通电阻、高电流承载能力以及宽工作温度范围,确保了在各种工作条件下的稳定性和高效率。作为Infineon的一款重要产品,IRFB4310ZPBF将有助于提升现代电子设备的性能,推动智能电网和可再生能源技术的进一步发展。对于设计工程师而言,IRFB4310ZPBF提供了极大的设计灵活性,满足现代电子产品的严苛要求。