IRFB4310ZPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRFB4310ZPBF

商品编码: BM0084326334
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO220
包装 : 
管装
重量 : 
2.64g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 250W 100V 120A 1个N沟道 TO-220-3
库存 :
85(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
5.093
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥5.093
--
100+
¥4.996
--
1000+
¥4.85
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFB4310ZPBF参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)100V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)6 毫欧 @ 75A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 150µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)170nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)6860pF @ 50V
功率耗散(最大值)250W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装TO-220AB
封装/外壳TO-220-3

IRFB4310ZPBF手册

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IRFB4310ZPBF概述

IRFB4310ZPBF 产品概述

1. 产品简介

IRFB4310ZPBF是一款高性能的N沟道MOSFET(金属氧化物场效应管),由知名半导体制造商Infineon(英飞凌)提供。这款器件的设计专注于高效率、高功率应用,特别适合需要100V漏源电压和120A连续漏极电流的场合。IRFB4310ZPBF的封装类型为TO-220,具备较好的散热性能,适合通孔安装,便于在各种电子产品中使用。

2. 基本参数

  • FET类型: N通道MOSFET
  • 漏源电压(Vdss): 100V,适合高压应用
  • 连续漏极电流(Id): 120A(在Tc情况下)
  • 驱动电压: 10V
  • 导通电阻(Rds On): 最大6毫欧 @ 75A,10V,这意味着在运行时能保持低温和高效率
  • 栅极阈值电压(Vgs(th)): 最大4V @ 150µA,便于驱动控制
  • 栅极电荷(Qg): 最大170nC @ 10V,表明其开关速度快
  • 输入电容(Ciss): 最大6860pF @ 50V,适合高频操作
  • 功率耗散: 最大250W(Tc),为高功率应用提供了可靠的表现
  • 工作温度范围: -55°C ~ 175°C(TJ),使得该器件能够在极端环境下稳定工作
  • 封装类型: TO-220AB,为散热提供良好的支持

3. 应用领域

IRFB4310ZPBF广泛应用于多个领域,主要包括:

  • 电源转换: 在DC-DC转换器和不间断电源(UPS)中,IRFB4310ZPBF能够有效地进行功率转换,提高系统的整体效率。
  • 电机驱动: 适用于电动机控制器,能够提供快速开关和高电流输出,提升电动机的性能。
  • 高频开关电源: 由于其低导通电阻和快速开关特性,该MOSFET非常适合在高频开关电源中使用。
  • 汽车电子: 由于其宽工作温度范围和高可靠性,该器件可应用于汽车电子设备,如电池管理系统和动力控制单元。
  • 可再生能源系统: 适用于太阳能逆变器和风能转换系统,IRFB4310ZPBF能够提升能量转换效率,减少能量损失。

4. 性能优势

  • 低导通电阻: 该器件的低Rds(on)极大地降低了在工作过程中产生的热损失,提升了整体系统的效率。
  • 高电流承载能力: IRFB4310ZPBF具备120A的连续漏极电流能力,适合大功率应用。
  • 高温稳定性: 器件的工作温度范围可以达到-55°C到175°C,在极端情况下也能保持稳定的性能,确保系统的可靠性。
  • 实用性强: TO-220封装提供良好的散热性能,便于在各种电子设计中集成。

5. 总结

IRFB4310ZPBF是一款高性能的N沟道MOSFET器件,凭借其卓越的电气特性和广泛的应用前景,成为电源管理和电动机控制领域的理想选择。其低导通电阻、高电流承载能力以及宽工作温度范围,确保了在各种工作条件下的稳定性和高效率。作为Infineon的一款重要产品,IRFB4310ZPBF将有助于提升现代电子设备的性能,推动智能电网和可再生能源技术的进一步发展。对于设计工程师而言,IRFB4310ZPBF提供了极大的设计灵活性,满足现代电子产品的严苛要求。