IPT015N10N5ATMA1
IPT015N10N5ATMA1参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 300A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.5 毫欧 @ 150A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.8V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 211nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 16000pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 375W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-HSOF-8-1 |
| 封装/外壳 | 8-PowerSFN |
IPT015N10N5ATMA1手册
IPT015N10N5ATMA1概述
产品概述：IPT015N10N5ATMA1
一、产品简介
IPT015N10N5ATMA1 是一款由英飞凌（Infineon）制造的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。其设计旨在满足高功率和高电压应用的需求，具有出色的导电性能和热稳定性，使其在电力电子、开关电源、逆变器和电机驱动等领域得到广泛应用。该器件采用表面贴装型封装（PG-HSOF-8-1），提升了其散热特性和集成度，方便在空间受限的应用环境中使用。
二、关键参数
漏源电压（Vdss）：该MOSFET的漏源电压高达100V，适合高压电源管理和开关控制，满足多样化应用的需求。
连续漏极电流（Id）：在额定工作条件下，这款MOSFET可以承载高达300A的连续漏极电流（在温度控制条件下），提供了强大的导电能力。
导通电阻（Rds(On)）：在10V的栅极驱动电压下，最大导通电阻为1.5毫欧，优异的导通性能减少了开关损耗和热量产生，提高了电源的效率。
栅极电流（Qg）：在10V的驱动电压下，栅极电荷为211nC，较小的栅电荷值使得驱动电路所需的功率减小，提高了系统的响应速度。
栅源阈值电压（Vgs(th)）：在250µA的测试条件下，Vgs(th)的最大值为3.8V，意味着此MOSFET在较低的栅源电压下就能有效开启，为各种电源控制应用提供了良好的兼容性。
工作温度范围：其工作温度范围为-55°C至175°C，适合在极端的环境条件下使用，如汽车、电力和工业应用。
功率耗散（Pd）：最大功率耗散为375W（在温度控制条件下），保证了其在高功率应用中的稳定性。
三、应用领域
IPT015N10N5ATMA1 获得广泛应用的领域主要包括：
电力电子：适用于电源转换器、开关电源和 UPS 系统中，能够确保高效的电能转换。
电动机驱动：该MOSFET能够作为电动机控制器中的开关元件，确保高效能的电力管理。
电动车辆：在电动汽车和混合动力汽车的驱动系统中，其高效率和耐热特性使其成为理想的选择。
工业控制：在自动化、机械控制和机器人技术等领域，提供稳定、可靠的开关功能。
其他应用：适用于LED驱动电路、再生制动系统和高效电源管理等其他高需求场合。
四、总结
综上所述，IPT015N10N5ATMA1 是一款性能卓越的N沟道MOSFET，其高漏源电压、高电流承载能力及低导通电阻使其在电力电子领域具有广泛的应用潜力。其出色的散热性能和宽工作温度范围为设计工程师提供了更大的灵活性。凭借英飞凌的品牌实力和技术背景，IPT015N10N5ATMA1 无疑是提高电子系统效能、推动电能转换创新的理想选型。