BSC010NE2LSI
BSC010NE2LSI参数
| 功率(Pd) | 96W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 180pF@12V |
| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.05mΩ@10V,30A |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 59nC@12V |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | 类型 | 1个N沟道 |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 5.6nF@12V | 连续漏极电流(Id) | 100A |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
BSC010NE2LSI手册
BSC010NE2LSI概述
BSC010NE2LSI 产品概述
产品简介
BSC010NE2LSI 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的一款高性能场效应管（MOSFET），采用TDSON-8封装，尺寸为5x6毫米。该器件因其卓越的电气特性和紧凑的封装设计，广泛应用于各种电子设备中，尤其是在高效能电源管理和开关应用场景中表现优异。
主要特性
高效率: BSC010NE2LSI MOSFET 具有极低的导通电阻（RDS(on)），能够在很低的功耗下提供高电流支持，这使它在电源转换和管理应用中能显著提高系统效率。
快速开关速度: 该器件具备优良的开关性能，能够快速切换状态，降低开关损耗。这一特点使其非常适合高频开关应用，能够有效提高电路的整体响应速度。
宽工作电压范围: BSC010NE2LSI 具有较宽的工作电压范围，可以满足多种应用要求。它的最大漏极源极电压（VDS）为100V，使其能够适用于较高电压的设备，同时也为系统设计提供了更大的灵活性。
优秀的热性能: 英飞凌在器件的热管理方面进行了优化，确保在高负载运行时仍旧保持良好的热稳定性。优良的热性能使得该MOSFET即使在恶劣环境中也能可靠工作，延长了器件的使用寿命。
低栅极驱动电压: BSC010NE2LSI 的栅极驱动电压要求较低，这使得在一些对驱动电压有限制的电路中能够顺利使用，减少了附加元器件的需求，从而降低了整体设计成本。
应用领域
BSC010NE2LSI 在多个领域具有广泛的应用潜力，包括但不限于：
电源转换: 在开关电源（SMPS）、DC-DC转换器及其他电源管理系统中，该MOSFET能够有效提高电源的转换效率和稳定性。
电动车辆和混合动力车辆: 随着电动车技术的不断发展，BSC010NE2LSI 作为功率开关元件，在电动驱动和电池管理系统中发挥着关键作用。
通信基站: 在通信设备中，BSC010NE2LSI 能够有效地进行信号放大和开关，确保高效的数据传输。
工业控制: 在自动化和工业控制系统中，凭借其高效率和快速开关能力，该MOSFET 在马达驱动和功率控制等方面得到广泛应用。
技术规格
- 封装: TDSON-8
- 尺寸: 5x6mm
- VDS（最大漏极源极电压）: 100V
- RDS(on): 典型值2.5 mΩ
- 最大漏极电流（ID）: 10A
- 栅极阈值电压（VGS(th)）: 1.8V 决定了开启时所需的栅极电压
总结
BSC010NE2LSI MOSFET 的卓越性能和多功能性使其成为现代电子设计中不可或缺的组件。通过其高导电性和快速开关能力，该元件为各种电源管理与控制应用提供了理想的解决方案。无论是在消费电子，电动车辆，还是工业自动化领域，BSC010NE2LSI 都展示出了极高的应用潜力，是设计工程师的理想选择。随着对高效、可靠且小型化电子设备需求的日益增加，BSC010NE2LSI 作为英飞凌的代表性产品，将继续在市场中发挥重要作用。