IPB60R180P7ATMA1 产品实物图片
IPB60R180P7ATMA1 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IPB60R180P7ATMA1

商品编码: BM0084326324
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-263-3(D2PAK)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 72W 600V 18A 1个N沟道 TO-263-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
9.19
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥9.19
--
10+
¥7.65
--
500+
¥6.96
--
6000+
产品参数
产品手册
产品概述

IPB60R180P7ATMA1参数

制造商Infineon Technologies系列CoolMOS™ P7
包装卷带(TR)零件状态有源
FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)18A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)180 毫欧 @ 5.6A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 280µA
Vgs(最大值)±20V功率耗散(最大值)72W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
供应商器件封装D²PAK(TO-263AB)封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
漏源电压(Vdss)600V不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)25nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1081pF @ 400V

IPB60R180P7ATMA1手册

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IPB60R180P7ATMA1概述

产品概述:IPB60R180P7ATMA1(Infineon CoolMOS™ P7系列)

1. 产品背景

在现代电子设计中,功率管理是一个至关重要的方面,尤其是在需要高效能和高可靠性的应用中。Infineon Technologies 的 CoolMOS™ P7 系列 MOSFETs 旨在满足这些需求,特别适用于负责高电压、高功率的换流、逆变和整流等场合。IPB60R180P7ATMA1 是这一系列中的一个重要型号,以其出色的性能规格,成为广泛应用于各类电源变换器、工业设备及汽车电子等领域的理想选择。

2. 关键参数与特性

  • 制造商与系列: IPB60R180P7ATMA1 是由 Infineon Technologies 设计和生产,属于 CoolMOS™ P7 系列。
  • 型别: 这是一款 N 通道 MOSFET,适用于需频繁开关的高电压场合。
  • 电气性能:
    • 连续漏极电流(Id): 在 25°C 环境温度下,其设计可承受最高 18A 的连续电流,确保在高负载时的稳定性。
    • 导通电阻(Rds On): 在 10V 的栅极驱动电压下,其最大导通电阻为 180 毫欧(@ 5.6A),显著降低了在导通状态下的能量损耗,并提高整体效率。
    • 漏源电压(Vdss): 本产品的额定漏源电压为 600V,使其能够有效应对高电压环境,并具备良好的安全边际。

3. 工作温度范围与功率管理

IPB60R180P7ATMA1 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,适应广泛的工作环境。其最大功率耗散值达 72W(在集成温度 Tc 条件下),使其能够在严苛条件下长期稳定运行。高温环境下的可靠性和安全性是设计关键考虑因素,特别是在工业电源和汽车应用中。

4. 栅极驱动特性

  • 驱动电压: 此 MOSFET 的栅极最大驱动电压为 ±20V,确保了与各种驱动电路的兼容性。
  • 阈值电压(Vgs(th)): 该产品的最大阈值电压为 4V(@ 280µA),表明在较低的栅极电压下即可开启,增加了设计的灵活性与控制的精确性。
  • 栅极电荷(Qg): 在 10V 栅极驱动下,其最大栅极电荷为 25nC,确保了快速开关速度,降低了开关损耗。

5. 封装与安装类型

IPB60R180P7ATMA1 采用表面贴装的 D²PAK(TO-263-3)封装,具备良好的散热能力和空间效率,非常适合于密集的电路板设计。此外,该封装形式确保了在安装和焊接过程中的可靠性。

6. 应用场景

IPB60R180P7ATMA1 的特性使其非常适合用于:

  • 开关电源(SMPS)
  • 汽车电源管理系统
  • 太阳能逆变器
  • 电机控制和驱动器应用
  • 工业电源和设备
  • UPS(不间断电源)

7. 结束语

综上所述,IPB60R180P7ATMA1 是一款高性能、高可靠性的 N 通道 MOSFET,具备 600V 的高耐压能力和 18A 的连续电流承受能力,广泛应用于各类高功率电子设备中。凭借 Infineon 创新的 CoolMOS™ P7 技术,该产品可以有效提升系统的能效和运行稳定性,在当今对环保和能效日益重视的科技环境下,IPB60R180P7ATMA1 无疑是工程师们的优选方案。