BSC010NE2LSIATMA1
BSC010NE2LSIATMA1参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 25V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 38A（Ta），100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.05 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 59nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4200pF @ 12V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），96W（Tc） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8-7 | 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
BSC010NE2LSIATMA1手册
BSC010NE2LSIATMA1概述
产品概述：BSC010NE2LSIATMA1
一、基本信息
BSC010NE2LSIATMA1 是一款由英飞凌（Infineon）公司推出的高性能 N 通道 MOSFET。这款 MOSFET 采用创新的 OptiMOS™ 技术，特别设计用于满足高密度和高能效的要求，广泛应用于电源转换、直流-直流转换器和电压调节解决方案中，尤其是在服务器、数据通信和电信领域。
二、主要规格
漏源电压（Vdss）：该MOSFET 的最大漏源电压为 25V，适合处理各种中低电压应用。
电流能力：
- 连续漏极电流（Id）在 25°C 环境温度下可达到 38A，在更高的封装温度下（Tc）则可达到 100A，显示出其优越的热管理性能和电流承载能力。
驱动电压：BSC010NE2LSIATMA1 支持最大 Rds On 的驱动电压为 4.5V 和 10V，使其能够与多种控制器兼容。
导通电阻（Rds(on)）：在 10V 的栅极驱动电压下，30A 时的最大导通电阻为 1.05毫欧。这一超低的导通电阻极大地降低了开关损耗，提高了功率转换效率。
阈值电压（Vgs(th)）：在 250µA 的漏电流下，最大阈值电压为 2V，确保在低栅压驱动条件下能够有效开启，提高整体系统的灵活性。
栅极电荷（Qg）：在 10V 的栅极驱动下，最大栅极电荷为 59nC，这一设计降低了开关损耗，使循环保功率显著优化。
输入电容（Ciss）：最大输入电容为 4200pF（在 12V 下），有助于 MOSFET 的快速响应能力。
功率耗散：在 25°C 环境温度下，最大功率耗散为 2.5W，而在封装（Tc）下则可达到 96W，适应不同环境下的散热需求。
封装设计：采用了表面贴装（SMD）的 TDSON-8 封装，尺寸紧凑，适合高集成度的电路板配置，支持自动化生产与安装。
三、应用场景
BSC010NE2LSIATMA1 的设计使其特别适合用于以下应用：
电压调节器：凭借其低导通电阻及高电流能力，极大提升了 DC/DC 转换器和电源管理模块的性能，满足现代计算和通信设备对电源的高效率和高密度要求。
服务器和数据中心：由于其高功率能力和优秀的散热性能，BSC010NE2LSIATMA1 能够在数据中心等高密度电源环境中提供可靠稳定的电源解决方案。
电信设备：在电信基站和相关设备中，该 MOSFET 能够确保在各种负载条件下提供稳定的性能，满足不间断电源需求。
四、优势总结
BSC010NE2LSIATMA1 代表了英飞凌在功率 MOSFET 技术方面的尖端水平，通过采用 OptiMOS™ 技术，实现了卓越的性能与高能效，为用户降低了整体系统的能耗。其负载能力强、导通电阻低、使用灵活的特性使其成为当前市场上最具竞争力的解决方案之一，适用于各类对电源稳定性和效率要求极高的场合。
总之，BSC010NE2LSIATMA1 是一款具备先进技术、高效能、出色热管理及灵活应用能力的功率 MOSFET，为现代电源系统设计和应用提供了强大的支持。