存储器类型 | 非易失 | 存储器格式 | FRAM |
技术 | FRAM(铁电体 RAM) | 存储容量 | 64Kb (8K x 8) |
存储器接口 | SPI | 时钟频率 | 4MHz |
电压 - 供电 | 4.5V ~ 5.5V | 工作温度 | -40°C ~ 125°C(TA) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
FM25640B-GATR 是一款高性能的铁电 RAM(FRAM)存储器,专为需要快速存取和高耐久性的非易失性存储解决方案而设计。该器件由赛普拉斯(Cypress)公司制造,广泛应用于各类工业、商业及消费电子设备中,能够在极端的环境条件下提供稳定可靠的性能。
FM25640B-GATR 采用的是铁电 RAM 技术,这种技术融合了 SRAM 和 EEPROM 的优点,能够在保持数据的同时,实现快速的读写操作。FRAM 不仅具有快速写入的特性,还具备较高的耐久性,写入次数可达到数十亿次,远超传统的 EEPROM。该芯片内部结构的特性使其在读取和写入速度上均有显著优势,通常可以在纳秒级别内完成操作,适合需要频繁更新数据的应用场景。
FM25640B-GATR 的存储容量为 64Kb(8K x 8),能够满足许多嵌入式系统和数据采集设备的存储需求。其 8-bit 的宽度进一步简化了接口的设计,使得数据处理更加高效。同时,该器件的非易失性特征确保在断电的情况下数据不会丢失,为长时间运行的系统提供了可靠保障。
FM25640B-GATR 使用 SPI(串行外设接口)作为通信接口,这一接口的优势在于数据传输速度快、连接简单,广泛应用于微控制器与其他外部设备之间的通信。该器件的最大时钟频率为 4MHz,在多数应用场景下,能够提供流畅的数据传输性能,满足快速响应的需求。
FM25640B-GATR 运行电压范围广泛,限制在 4.5V 至 5.5V 之间,能够适应多种电源设计。其优秀的工作温度范围为 -40°C 至 125°C,特别适合于恶劣环境下工作的工业仪器、汽车电子和医疗设备等应用。无论是在高温还是低温的环境中,该器件都能够持续保持优良的性能,确保数据的完整性与安全性。
该器件采用 8-SOIC(0.154”,3.90mm 宽)封装,是一种兼具紧凑性与易于焊接的表面贴装型设计。这种封装形式非常适合高密度布局的电子板设计,提高了系统整体的集成度。通过使用 8-SOIC 封装的 FM25640B-GATR,设计工程师可以在设计中有效节省空间,同时提升产品的稳定性与可靠性。
FM25640B-GATR 在各行各业中都有广泛的应用,尤其是在需要快速写入的场合:
FM25640B-GATR 是一款结合了高性能和可靠性的非易失性存储器,凭借其出色的写入速度、广泛的工作温度范围和强大的耐久性,适用于各类要求严格的应用。赛普拉斯作为市场领先的半导体厂家,其产品为用户提供了理想的解决方案,帮助工程师们在设计中实现更高的性能和更低的功耗,满足现代电子产品的多样化需求。