存储器类型 | 易失 | 存储器格式 | SRAM |
技术 | SRAM - 异步 | 存储容量 | 8Mb (1M x 8) |
存储器接口 | 并联 | 写周期时间 - 字,页 | 10ns |
访问时间 | 10ns | 电压 - 供电 | 3V ~ 3.6V |
工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 供应商器件封装 | 44-TSOP II |
CY7C1059DV33-10ZSXI 是由赛普拉斯(Cypress)推出的高性能静态随机存取存储器(SRAM)产品,专为高速应用环境设计。其封装形式为 44-TSOP II,这种扁平封装易于PCB(印刷电路板)焊接,并具有较小的占用空间,适合对空间要求较高的应用。该产品在宽广的供电电压范围内(3V至3.6V)运行,工作温度范围为 -40°C 至 +85°C,使其适用于各种严苛环境的应用。
CY7C1059DV33-10ZSXI 的设计目标是服务于各种工业、汽车、通信及消费电子领域的应用。凭借快速的访问时间和严苛的工作条件适应性,它可被广泛应用于:
高速性能:凭借仅10ns的访问时间,CY7C1059DV33-10ZSXI 在速度上满足现代电子产品对数据处理的高要求。
宽工作范围:宽广的工作温度范围和电压适应能力,保证了它在各种环境条件下的稳定工作,对用户的设计选择提供了极大的灵活性。
小型化设计:44-TSOP II 封装有效节省了电路板空间,支持密集布线布局,降低了终端产品的体积。
易于集成:合理的接口设计方便与多种控制器和处理器集成,提供顺畅的数据交换,提升系统整体性能。
可靠性:经过严格测试,CY7C1059DV33-10ZSXI 在高温、低温及高湿环境下都表现出良好的稳定性,适合高可靠性应用。
综上所述,CY7C1059DV33-10ZSXI 是一款性能优越、应用广泛的SRAM存储器解决方案。其高速存取、宽电压与温度适应性、小型化设计以及高可靠性,使得它成为工业、汽车、通信及消费电子等多个领域不可或缺的核心组件。赛普拉斯凭借其深厚的技术积累与创新能力,确保了这个产品在激烈竞争市场中的持续吸引力。对于开发者和工程师而言,这款SRAM无疑是实现高性能系统设计的理想选择。