功率(Pd) | 125W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 38pF@30V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4mΩ@10V,20A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 60nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 60V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.87nF@30V | 连续漏极电流(Id) | 140A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.4V@250uA |
AOB66616L是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),专为高功率电子应用设计,其主要适用于开关电源、DC-DC转换器、马达控制和其他要求高功率密度和高效率的电子设备。采用TO-263AB封装,使其在散热性和布局灵活性方面表现优越,适合在各种电路板上广泛使用。
高效能: AOB66616L具有出色的导通电阻(R_DS(on)),在高电流和高频率下均能保持低能耗,从而直接提高系统的整体能效,降低发热。
良好的热管理: TO-263AB封装设计为其提供了良好的散热特性,能够有效地管理在高功率操作时产生的热量,这在高密度电源应用中尤为重要。
优异的可靠性: 该MOSFET的设计符合工业标准,具备抗电击和抗高温的特性,确保在恶劣环境下的可靠运行。
高电流承载能力: 最高可承载38.5A的持续电流以及140A的脉冲电流,适合高负载应用,支持大功率设备而无需担心过载损坏。
灵活的应用场景: 其高电压和高电流规格使得AOB66616L可以广泛应用于各种领域,诸如电源管理、工业自动化、LED驱动、以及电动工具等。
AOB66616L适用于多种应用场景,具体包括但不限于以下领域:
AOB66616L是一款设计精良、性能卓越的N沟道MOSFET,结合了高电流承载能力与优异的散热特性,使其成为高功率电子应用中的理想选择。无论是用于供电系统还是高效能电机驱动,它都能为设计师提供所需的性能与稳定性,助力于开发高效、可靠的电源解决方案。对于需要高效能与高可靠性的工业设备、消费电子和智能设备,AOB66616L无疑是一个值得信赖的选择。