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BUK765R0-100E,118
品牌 :
Nexperia(安世)
封装 :
TO-263-3
包装 :
-
重量 :
1.684g
描述 :
场效应管(MOSFET) 357W 100V 120A 1个N沟道 D2PAK
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
17.76按整 :
-(1-有4800个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥17.76
--
100+
￥16.15
--
500+
￥15.38
--
2400+
￥14.93
--
24000+
产品参数
产品手册
产品概述
BUK765R0-100E,118参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 系列 | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 120A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5 毫欧 @ 25A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 357W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D2PAK | 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 180nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 11810pF @ 25V |
BUK765R0-100E,118手册
无数据
BUK765R0-100E,118概述
产品概述：BUK765R0-100E,118 N沟道MOSFET
BUK765R0-100E,118 是由Nexperia USA Inc.生产的一款高性能N沟道MOSFET，隶属于其汽车级产品系列。该系列产品符合AEC-Q101认证标准，特别设计用于汽车及其他要求严格的应用场合。MOSFET的封装类型为D2PAK（TO-263-3），便于表面贴装，并适应现代电子设备中对空间和散热的要求。
关键性能参数
额定电流与电压：
- 连续漏极电流（Id）: 120A（在接合温度Tc情况下）。
- 漏源电压（Vdss）：可以承受高达100V的电压，适合多种功率转换应用。
导通电阻与功耗：
- 在10V的栅源电压（Vgs）下，最大导通电阻（Rds(on)）为5毫欧（@ 25A），这意味着在工作期间能够大幅降低电能损耗，提高系统效率。
- 最大功率耗散能力为357W（Tc），在高负载情况下依然能够保持良好的散热性能，确保器件的稳定运行。
门极驱动特性：
- 较高的Vgs(th)（最大值4V @ 1mA）和最大栅源驱动电压（Vgs ±20V），使得该MOSFET能在相对较低的驱动电压下实现开关控制，方便与各种驱动电路兼容。
- 栅极电荷（Qg）的最大值为180nC（@10V），确保其能够快速开关，有助于提升开关频率并减少开关损耗。
频率响应与输入电容：
- 输入电容（Ciss）最大值为11810pF（@ 25V），在高频应用中能够提供良好的动态响应和较小的信号延迟。
工作温度与环境适应性：
- 该器件的工作温度范围非常广泛，从-55°C至175°C，能够在高温环境下稳定运行，适合用于汽车发动机舱等极端环境条件。
应用领域
BUK765R0-100E,118 MOSFET适用于多种电子和汽车应用，包括但不限于：
- 直流电机控制
- 电源管理和转换器
- 开关电源(SMPS)
- 逆变器和功率放大器
- 自动驾驶车辆中的功率分配和管理
可靠性与高效性
作为一款经过严格测试的汽车级元器件，BUK765R0-100E,118不仅能提供高效的性能和可靠性，还对环境和温度变化具有很好的适应能力。它的设计减少了在负载条件下的热损耗，能够有效提升整体工作效率与延长系统寿命。这使得该MOSFET在需要高可靠性和高效性能的应用中显示出其独特的价值。
总结
BUK765R0-100E,118 N沟道MOSFET凭借其优秀的电气特性和广泛的工作温度范围，是高功率体育电路设计的理想选择。无论是汽车电子、工业控制还是其他高性能应用，该器件都能够显著提升系统整体的效率和稳定性。其优异的导通性能及散热能力，使其在竞争激烈的市场中具备了强大的竞争优势，是现代电子设计中不可或缺的核心元件之一。