DMN2055UWQ-13 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMN2055UWQ-13

商品编码: BM0084325536
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT323
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 520mW 20V 3.1A 1个N沟道 SOT-323
库存 :
849(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.742
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.742
--
100+
¥0.512
--
500+
¥0.466
--
2500+
¥0.431
--
5000+
¥0.402
--
10000+
¥0.376
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMN2055UWQ-13参数

功率(Pd)470mW反向传输电容(Crss@Vds)32pF@10V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)56mΩ@4.5V,2.9A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)3.6nC@4.5V
漏源电压(Vdss)20V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)369pF@10V连续漏极电流(Id)2.9A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA

DMN2055UWQ-13手册

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DMN2055UWQ-13概述

DMN2055UWQ-13 产品概述

一、产品简介

DMN2055UWQ-13 是一种高性能的 N 沟道 MOSFET,它由 DIODES(美台)公司生产,属于 SOT-323 封装系列。该器件的设计旨在承受高达 20V 的栅源电压,能够提供最高 3.1A 的连续电流,最大功率耗散可达 520mW。这使得 DMN2055UWQ-13 非常适合用于低压开关电源、负载驱动以及其他对功率和效率有较高要求的应用场景。

二、主要特性

  1. 高电压与电流能力:具有 20V 的额定电压和 3.1A 的最大输出电流,为各种电子设备提供强大的驱动能力。
  2. 低导通电阻:该器件的 RDS(on) 较低,有助于降低功耗,提高电路效率,适合用于高效能应用。
  3. 小型化设计:采用 SOT-323 封装,便于安装到小型电路板,适合空间受限的应用。
  4. 热稳定性:符合现代电子器件所需的可靠性要求,适应高温环境下稳定工作。
  5. 快速开关特性:具有较快的开关速度,能够在开关电源及高频应用中提供优异的性能。

三、应用领域

DMN2055UWQ-13 MOSFET 广泛应用于多个领域,具体包括但不限于:

  • 开关电源:由于其高效率和额定电压,适合用于 DC/DC 转换器和其他开关电源设计中。
  • 电机驱动:适用于小型电机的控制和驱动电路,能够有效控制电机的启停和转速。
  • 信号开关:在通信设备和控制系统中,作为信号通路的开关,为信号的传输提供可靠的支持。
  • LED 驱动:能够很好地控制 LED 的开关与亮度,广泛用于照明与显示应用中。

四、典型应用电路

在实际应用中,DMN2055UWQ-13 可以用作开关元件,在开关电源、功率驱动电路中,常见的典型电路包括:

  1. Buck (降压) 转换器:在 Buck 转换器中,通常用于控制输出电压的开关,通过 PWM 信号调节其导通时间,达到所需的输出电压。
  2. H桥电路:用于电机驱动时,DMN2055UWQ-13 能够集成在 H 桥电路中,负责电机的正转与反转控制。
  3. LED 驱动电路:用作 LED 的开关,调整 LED 的亮度和电流,提升整体光效。

五、型号对比与市场竞争

在同类 N 沟道 MOSFET 中,DMN2055UWQ-13 的性能表现优异,尤其在导通电阻和开关特性方面,相比其它品牌具有一定的竞争优势。它的封装形式小巧,便于集成到密集型电路板中。此外,DIODES 的品牌信誉和行业经验也为该产品的可靠性提供了保障。

六、总结

综合来看,DMN2055UWQ-13 作为一款 N 沟道 MOSFET,凭借其优异的电气特性和灵活的应用领域,成为了许多电子设计工程师的首选组件。无论是在高效能的开关电源、可靠的电机驱动还是精确的信号开关中,DMN2055UWQ-13 都能展现出其卓越的性能。