功率(Pd) | 470mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 32pF@10V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 56mΩ@4.5V,2.9A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 3.6nC@4.5V |
漏源电压(Vdss) | 20V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 369pF@10V | 连续漏极电流(Id) | 2.9A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
DMN2055UWQ-13 是一种高性能的 N 沟道 MOSFET,它由 DIODES(美台)公司生产,属于 SOT-323 封装系列。该器件的设计旨在承受高达 20V 的栅源电压,能够提供最高 3.1A 的连续电流,最大功率耗散可达 520mW。这使得 DMN2055UWQ-13 非常适合用于低压开关电源、负载驱动以及其他对功率和效率有较高要求的应用场景。
DMN2055UWQ-13 MOSFET 广泛应用于多个领域,具体包括但不限于:
在实际应用中,DMN2055UWQ-13 可以用作开关元件,在开关电源、功率驱动电路中,常见的典型电路包括:
在同类 N 沟道 MOSFET 中,DMN2055UWQ-13 的性能表现优异,尤其在导通电阻和开关特性方面,相比其它品牌具有一定的竞争优势。它的封装形式小巧,便于集成到密集型电路板中。此外,DIODES 的品牌信誉和行业经验也为该产品的可靠性提供了保障。
综合来看,DMN2055UWQ-13 作为一款 N 沟道 MOSFET,凭借其优异的电气特性和灵活的应用领域,成为了许多电子设计工程师的首选组件。无论是在高效能的开关电源、可靠的电机驱动还是精确的信号开关中,DMN2055UWQ-13 都能展现出其卓越的性能。