BC848B-13-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BC848B-13-F

商品编码: BM0084325533
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
普通双极型晶体管(BJT)
库存 :
9785(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.576
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.576
--
500+
¥0.192
--
5000+
¥0.128
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述

BC848B-13-F参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)30V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)600mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值)15nA不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)450 @ 2mA,5V
功率 - 最大值310mW频率 - 跃迁300MHz
工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装SOT-23

BC848B-13-F手册

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BC848B-13-F概述

BC848B-13-F 产品概述

BC848B-13-F 是由美台(DIODES)公司生产的一款高性能 NPN 型普通双极型晶体管(BJT)。该器件结合了优秀的电气性能与可靠性,广泛应用于各种电子电路中,包括放大器、开关电路和其他低功耗应用。它的设计考虑了现代电子设备对小型化、高效能和低功耗的需求。

1. 基本规格

BC848B-13-F 的电气参数相对优越,使其在多个应用场合中成为理想选择。以下是其主要技术参数:

  • 晶体管类型: NPN
  • 集电极电流 (Ic): 最大 100mA
  • 集射极击穿电压 (Vce): 最大 30V
  • Vce 饱和压降: 在 5mA 和 100mA 时,最大值为 600mV
  • 集电极截止电流 (I_CEO): 最大 15nA
  • 直流电流增益 (hFE): 在 2mA 和 5V 时,最小值为 450
  • 功率耗散: 最大功率为 310mW
  • 频率跃迁: 最高可达 300MHz
  • 工作温度范围: -65°C 到 150°C(结温 TJ)
  • 安装类型: 表面贴装(SMD)
  • 封装类型: SOT23,具有小型紧凑特性

2. 应用领域

由于其高增益和良好的频率响应,BC848B-13-F 被广泛应用于以下领域:

  • 音频放大: 该晶体管能够提供很高的增益,适合用作小型音频放大电路中的前置放大器。
  • 开关应用: 由于其具有出色的开关特性,BC848B-13-F 可以用于低电流和低电压的开关电路中。
  • 信号处理: 适用于各种信号处理电路,如调制解调器、无线电接收器等。
  • 感测及反馈电路: 由于其低的集电极截止电流和高频率响应,该晶体管可以用于反馈电路和传感器应用。

3. 设计优势

BC848B-13-F 具有若干显著的设计优势,使其在电子电路设计中脱颖而出:

  • 高增益: 具有较高的直流电流增益 (hFE),使得在低电流输入条件下仍能实现较强的输出能力。
  • 小型封装: SOT23 封装使得该晶体管适合于小型电子设备,便于实现设计的紧凑性和轻量化。
  • 宽温度范围: 工作温度范围宽广,可以在极端环境条件下可靠运行,适用于工业和汽车等领域。

4. 使用注意事项

在使用 BC848B-13-F 时,一些设计注意事项是必须考虑的:

  • 热管理: 尽管最大功率为 310mW,但在高频工作或高电流情况下,需要考虑散热问题,以防止过热导致器件失效。
  • 静电保护: 建议在操作过程中采取适当的静电放电(ESD)保护措施,以防止静电损坏器件。
  • 偏置设置: 优化偏置电路设计,确保晶体管在所需工作区域有效工作。

5. 结论

综上所述,BC848B-13-F 是一款功能强大且高效的 NPN 晶体管,适用于各种电子应用。其卓越的性能、紧凑的封装设计和宽广的工作温度范围,使其在现代电子电路设计中成为一个不可或缺的重要元件。无论是在音频放大器、开关电路,还是在反馈和信号处理系统中,BC848B-13-F 都能提供稳定可靠的性能,帮助设计师实现其产品的最佳效果。