DDA114EU-7-F 产品实物图片
DDA114EU-7-F 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDA114EU-7-F

商品编码: BM0084325519
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT363
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
数字晶体管 200mW 50V 100mA 2个NPN-预偏置 SOT-363
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.33
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.33
--
50+
¥0.227
--
1500+
¥0.207
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDA114EU-7-F参数

晶体管类型2 个 PNP 预偏压式(双)电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)10 千欧
电阻器 - 发射极 (R2)10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)30 @ 5mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 500µA,10mA电流 - 集电极截止(最大值)500nA
频率 - 跃迁250MHz功率 - 最大值200mW
安装类型表面贴装型封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装SOT-363

DDA114EU-7-F手册

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DDA114EU-7-F概述

DDA114EU-7-F 产品概述

1. 产品简介

DDA114EU-7-F 是一款高性能的数字晶体管,采用 SOT-363 封装,适合表面贴装技术(SMT),具有优异的电气性能和可靠性。该器件由 DIODES (美台) 生产,主要特点包括低噪声、高增益和宽频带性能,非常适合用于各种数字电路和开关应用。

2. 关键参数

  • 晶体管类型:DDA114EU-7-F 是双 PNP 预偏压式晶体管配置,这使得其在开关和信号放大应用中具备良好的灵活性和性能。
  • 最大集电极电流 (Ic):该器件的最大 Ic 为 100mA,适合驱动小型负载和集成电路。
  • 集射极击穿电压 (Vce):最高可以承受 50V 的电压,这一特性使得该器件在多个应用场景中都能表现出色,尤其是在需要一定耐压的电路中。
  • 增益特性 (hFE):在 Ic 为 5mA 和 Vce 为 5V 时,DC 电流增益的最小值为 30,意味着在一定的输入电流条件下,其输出电流能够达到输入电流的 30 倍,适合用于大多数信号放大需求。

3. 电压与电流特性

  • Vce 饱和压降:该晶体管在 500µA 的基极电流和 10mA 的集电极电流下,Vce 饱和压降最大为 300mV,表明其在工作时能有效降低能量损耗,提高系统效率。
  • 集电极截止电流:在电流有效截止的状态下,最大集电极截止电流为 500nA,显示出其非常低的漏电流特性,这对低功耗电路至关重要。

4. 频率响应

  • 跃迁频率:该器件的跃迁频率达到 250MHz,意味着其能够在高频率下稳定工作,适合用于高频开关和射频(RF)应用。此外,这一特性使得 DDA114EU-7-F 在数字通信和信号处理等领域的应用更具优势。

5. 功率和热性能

  • 最大功率:DDA114EU-7-F 的最大功率可达 200mW,能够满足家电和工业设备中的多种应用情况,如开关电源、电机控制和状态指示。

6. 封装与安装

  • 封装类型:SOT-363 封装不仅体积小,适合高密度布板要求,同时也具有较好的散热特性,适合现代电子设备的设计需求。
  • 表面贴装型:该类型的安装方式使得 DDA114EU-7-F 易于在自动化生产线进行组装,符合当前电子产品向小型化和高性能化发展的大趋势。

7. 应用场景

DDA114EU-7-F 广泛应用于数字电路、信号放大、开关电源、传感器信号处理、以及便携式电子设备等多种领域。其低功耗特性非常适合现代消费电子中的应用,如手机、平板电脑及其他通信设备。

8. 总结

总体而言,DDA114EU-7-F 是一款优化设计的数字晶体管,具备优良的电气性能和可靠性,适用范围广泛。无论是在电源管理还是在复杂的数字电路中,它都能提供精确的性能,满足不断变化的市场需求。随着电子技术的不断发展,该器件将在各类高效能、中小功率电子产品中发挥越来越重要的作用。