安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 35 毫欧 @ 4A,4.5V,74 毫欧 @ 3A,4.5V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.7A(Ta),2.6A(Ta) | FET 类型 | N 和 P 沟道互补型 |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 530pF @ 10V,705pF @ 10V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 5.7nC @ 4.5V,10nC @ 4.5V | 漏源电压(Vdss) | 20V |
FET 功能 | 逻辑电平栅极,1.8V 驱动 | 功率 - 最大值 | 800mW(Ta) |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
DMC2038LVTQ-7 是一款高性能的场效应管(MOSFET),其设计采用了N沟道和P沟道的互补型结构,专门用于表面贴装应用,符合现代电子设备的小型化和高效率需求。封装采用 TSOT-23-6,具有优良的热性能和电气特性,适合在多种电子电路中使用。
由于其出色的电气特性,DMC2038LVTQ-7广泛应用于各种电子领域,包括但不限于:
DMC2038LVTQ-7 作为DIODES(美台)推出的一款先进的MOSFET,凭借其优越的性能参数和广泛的适用性,已成为多种电路设计的重要组成部分。无论是在高效的电源管理,还是在高要求的工业和汽车电子应用中,该元件都提供了出色的解决方案,是现代电子设计领域中不可或缺的关键器件。
对于设计师和工程师来说,DMC2038LVTQ-7不仅提升了电路的整体性能,也提高了系统的可靠性,适用于各种高效、低功耗的电子设备。因此,选择合适的MOSFET将有助于优化整个电路的设计,进而推动电子技术的不断前进与发展。