功率(Pd) | 280mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 3.7pF@15V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 6Ω@1.8V,210mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 350pC@4.5V |
漏源电压(Vdss) | 20V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 21.5pF@15V | 连续漏极电流(Id) | 300mA |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
DMN2991UT-13 是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),由DIODES(美台)公司制造,广泛应用于低功耗及高效率的开关应用。此元器件以其出色的电气性能和紧凑的SOT-523封装而备受工程师青睐,尤其适用于便携式电子设备、计算机周边设备以及其他要求高电流快速开关的电路中。
DMN2991UT-13 的设计使其非常适合用于多种电子电路和产业应用,以下是一些典型使用场景:
便携式电子设备:由于其小型化的设计和低功耗特性,使其非常适合用于智能手机、平板电脑和便携式电源管理电路中。
电源开关:MOSFET的高效能使其在DC-DC转换器、同步整流和其他电源管理电路中得到广泛应用,能够在提供稳定输出的同时降低能量损失。
LED驱动:可用于LED照明设备的电流控制,在需要调节亮度或开关LED时,DMN2991UT-13提供了理想的解决方案。
计算机周边设备:在打印机、扫描仪等设备的开关和电源管理电路中,DMN2991UT-13可用于高效开关控制。
汽车电子:适用于车载电源管理、灯光控制及其他需要高效率和高可靠性的电路。
高效能和低能耗:DMN2991UT-13 提供低导通电阻、高开关速度等优良电气性能,提升了整体效率,降低了热量生成,有助于延长电池使用寿命。
空间节省:在SOT-523封装内,其设计可为电路板节省宝贵的空间,支持更紧凑的电路布局。
高温操作能力:该器件具备良好的高温稳定性,非常适合那些高温环境下的应用,确保工作可靠。
易于驱动:该MOSFET具有较低的门极阈值电压,便于与常见的控制电路兼容,降低了设计复杂度。
DMN2991UT-13 以其优秀的性能指标、广泛的应用场景以及高效的电源管理能力,成为现代电子设计中一个不可或缺的重要元器件。无论是在高要求的消费电子产品,还是在高效的电源系统中,其都能够提供卓越的表现。在选择MOSFET时,DMN2991UT-13无疑是一个值得信赖的选择,以确保产品在效率与性能上的最佳平衡。无论您是在设计新的电子产品,还是在优化现有电路,DMN2991UT-13都将助力工程师们实现更高的设计目标。