DMN2991UT-13 产品实物图片
DMN2991UT-13 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMN2991UT-13

商品编码: BM0084325420
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT523
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 280mW 20V 300mA 1个N沟道 SOT-523
库存 :
9890(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.509
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.509
--
100+
¥0.35
--
500+
¥0.319
--
2500+
¥0.295
--
5000+
¥0.276
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMN2991UT-13参数

功率(Pd)280mW反向传输电容(Crss@Vds)3.7pF@15V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)6Ω@1.8V,210mA
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)350pC@4.5V
漏源电压(Vdss)20V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)21.5pF@15V连续漏极电流(Id)300mA
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA

DMN2991UT-13手册

empty-page
无数据

DMN2991UT-13概述

DMN2991UT-13 产品概述

一、概述

DMN2991UT-13 是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),由DIODES(美台)公司制造,广泛应用于低功耗及高效率的开关应用。此元器件以其出色的电气性能和紧凑的SOT-523封装而备受工程师青睐,尤其适用于便携式电子设备、计算机周边设备以及其他要求高电流快速开关的电路中。

二、技术规格

  • 封装类型:SOT-523
  • 输出功率:280 mW
  • 最大漏极-源极电压 (V_DS):20 V
  • 最大漏极电流 (I_D):300 mA
  • 门极阈值电压 (V_GS(th)):通常在2V到4V之间
  • 导通电阻 (R_DS(on)):在典型的10V栅极驱动下,导通电阻极低,以提高开关效率。
  • 工作温度范围:-55°C至+150°C,适合各种环境条件。

三、应用场景

DMN2991UT-13 的设计使其非常适合用于多种电子电路和产业应用,以下是一些典型使用场景:

  1. 便携式电子设备:由于其小型化的设计和低功耗特性,使其非常适合用于智能手机、平板电脑和便携式电源管理电路中。

  2. 电源开关:MOSFET的高效能使其在DC-DC转换器、同步整流和其他电源管理电路中得到广泛应用,能够在提供稳定输出的同时降低能量损失。

  3. LED驱动:可用于LED照明设备的电流控制,在需要调节亮度或开关LED时,DMN2991UT-13提供了理想的解决方案。

  4. 计算机周边设备:在打印机、扫描仪等设备的开关和电源管理电路中,DMN2991UT-13可用于高效开关控制。

  5. 汽车电子:适用于车载电源管理、灯光控制及其他需要高效率和高可靠性的电路。

四、优势

  • 高效能和低能耗:DMN2991UT-13 提供低导通电阻、高开关速度等优良电气性能,提升了整体效率,降低了热量生成,有助于延长电池使用寿命。

  • 空间节省:在SOT-523封装内,其设计可为电路板节省宝贵的空间,支持更紧凑的电路布局。

  • 高温操作能力:该器件具备良好的高温稳定性,非常适合那些高温环境下的应用,确保工作可靠。

  • 易于驱动:该MOSFET具有较低的门极阈值电压,便于与常见的控制电路兼容,降低了设计复杂度。

五、总结

DMN2991UT-13 以其优秀的性能指标、广泛的应用场景以及高效的电源管理能力,成为现代电子设计中一个不可或缺的重要元器件。无论是在高要求的消费电子产品,还是在高效的电源系统中,其都能够提供卓越的表现。在选择MOSFET时,DMN2991UT-13无疑是一个值得信赖的选择,以确保产品在效率与性能上的最佳平衡。无论您是在设计新的电子产品,还是在优化现有电路,DMN2991UT-13都将助力工程师们实现更高的设计目标。