晶体管类型 | NPN - 达林顿 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 300mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 30V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 1.5V @ 100µA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 20000 @ 100mA,5V |
功率 - 最大值 | 200mW | 频率 - 跃迁 | 125MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
MMSTA14-7-F 是一种高性能的 NPN 达林顿晶体管,由知名半导体制造商 DIODES 提供。作为一种表面贴装型 (SMD) 器件,它具有优异的电流增益和卓越的功率处理能力,使其在众多高要求应用中表现出色。
MMSTA14-7-F 达林顿晶体管的广泛应用源于其高增益和良好的电流处理能力。主要应用领域包括:
高电流增益: MMSTA14-7-F 的电流增益高达 20000,这意味着即使是微小的输入电流也能通过集电极产生较大的输出电流。这种特性使其可用于精密的信号处理应用。
低饱和压降: 在较高的集电极电流下(如 100mA),其饱和压降仅为 1.5V,显著提高了电源效率,减少了热量生成。
宽广的工作温度范围: 该器件能够在高达 150°C 的温度下可靠工作,适应极端环境,适合于汽车和工业应用。
小型化设计: 使用 SOT-323 封装,使得 MMSTA14-7-F 可以在有限的空间内实现高性能,适合小型化电子设备设计。
总体而言,MMSTA14-7-F 是一种具有极高性能和适用性的 NPN 达林顿晶体管,凭借其高电流增益、低饱和压降和宽温度范围,能够满足多种高端电子应用的需求。无论是在开关电源、音频放大器,还是在传感器电路中,均表现出了极好的可靠性和稳定性,是电子工程师在高性能设计中的理想选择。
此晶体管的独特特性使其在现代电子设备中发挥着至关重要的作用,为电子行业的创新设计提供了支持。通过合理选用 MMSTA14-7-F,可以显著提高电路的性能和效率,促使电子产品在市场竞争中取得优势。