DMN3061SWQ-7
DMN3061SWQ-7参数
| 功率(Pd) | 770mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 31pF@15V |
| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 59mΩ@10V,2.9A |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 2.9nC@4.5V |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | 类型 | 1个N沟道 |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 233pF@15V | 连续漏极电流(Id) | 2.3A |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.8V@250uA |
DMN3061SWQ-7手册
DMN3061SWQ-7概述
DMN3061SWQ-7 产品概述
一、产品简介
DMN3061SWQ-7 是一款高性能的 N 沟道场效应管 (MOSFET)，采用美台品牌DIODES的先进技术制造。其设计目的是满足低功耗和高效能应用的需求，广泛适用于各种电子设备和工业控制系统。该 MOSFET 的额定功率为490mW，工作电压可达30V，最大电流为2.7A，采用 SOT-323 封装。
二、技术规格
- 类型: N 沟道 MOSFET
- 最大功率: 490mW
- 最大电压: 30V
- 最大电流: 2.7A
- 封装类型: SOT-323
- 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
- 沟道电阻: 在 VGS = 10V 时，RDS(on) 的值相对较低，确保了良好的导通性能。
- 开关速度: 快速的开关特性使其能够在高频应用中表现优异。
三、应用领域
DMN3061SWQ-7 无论在消费电子、工业控制，还是通讯设备中，都能够发挥重要作用。以下是一些主要的应用场景：
电源管理: 由于其低导通电阻和高开关频率，DMN3061SWQ-7 能有效提升电源管理模块的效率，并降低能耗。适合用于 DC-DC 转换器、降压转换器等电源应用。
马达驱动: 在马达控制应用中，此 MOSFET 能够提供稳定的电流输出，降低功耗并减少热量产生，适用于电动机驱动电路。
信号开关: 在数字电路中，DMN3061SWQ-7 可用作信号开关，能够快速切换信号状态，确保信号完整性和时延控制。
LED 驱动: 该 MOSFET 也适用于 LED 驱动电路，以控制 LED 的亮度，并延长 LED 的使用寿命。
智能家居设备: 随着智能家居的普及，DMN3061SWQ-7 作为开关器件可以有效控制家居设备中的电源，从而实现节能和便利功能。
四、主要优势
低功耗特性: DMN3061SWQ-7 设计精良，能有效控制功耗，使其在电池供电的设备中表现突出。
高开关频率: 其快速开关特性适合高频电路的应用，减少了电路中的能量损失。
紧凑的封装: SOT-323 封装不仅减小了电路板的面积，而且提高了散热性能，适合于空间有限的应用。
高温稳定性: 该 MOSFET 能在高温环境中稳定运行，适用于各种苛刻的工况。
良好的热性能: 在热管理上表现良好，适合大电流应用，能够保持良好的工作温度。
五、结论
总的来说，DMN3061SWQ-7 是一款高效能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET，凭借其卓越的性能和广泛的应用领域，适合多种电子设备的使用。其独特的设计和技术使其在电源管理、马达控制和信号切换等方面表现出色，是现代电子设计中不可或缺的重要元器件。选用 DMN3061SWQ-7 不仅能提升产品的整体性能，还能有效降低能耗，符合当今绿色环保和节能减排的趋势。