DMN2055UWQ-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMN2055UWQ-7

商品编码: BM0084325276
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT323
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1个N沟道 SOT-323
库存 :
2930(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.642
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.642
--
200+
¥0.443
--
1500+
¥0.402
--
3000+
¥0.376
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMN2055UWQ-7参数

功率(Pd)800mW反向传输电容(Crss@Vds)37pF
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)45mΩ@2.5V,3.1A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)4.3nC@4.5V
漏源电压(Vdss)20V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)400pF@10V连续漏极电流(Id)4.8A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA

DMN2055UWQ-7手册

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DMN2055UWQ-7概述

DMN2055UWQ-7 产品概述

一、基本信息

DMN2055UWQ-7 是一款高性能的 N 沟道场效应管(MOSFET),由知名半导体制造商 DIODES(美台)生产。此器件采用了紧凑的 SOT-323 封装,适合多种应用场景,尤其在空间受限的电路中表现突出。DMN2055UWQ-7 结合了低导通电阻、快速开关特性及高效的热性能,是现代电子设备中不可或缺的重要组成部分。

二、主要特性

  1. 低导通电阻:DMN2055UWQ-7 的导通电阻(R_DS(on))非常低,这意味着在工作状态下,器件的功耗较少,有助于提高电路的整体效率。这一特性对于电池供电的便携设备尤为重要,有助于延长电池寿命。

  2. 高开关速度:DMN2055UWQ-7 的开关响应时间极短,能够支持快速开关的应用,包括开关电源、电子载波等。这一特性使其在高频应用中维持稳定性能。

  3. 耐高压和高电流:该 MOSFET 能够可靠地处理较高的电压和电流,确保在各种负载条件下稳定工作,使其成为电源管理、马达驱动和其他高功率应用的理想选择。

  4. 优良的热性能:由于其设计结构,DMN2055UWQ-7 有效地管理了发热问题,进一步提升了其耐用性和可靠性。高效的热导性能大大减少了元件在长时间工作中的温度上升,确保系统的安全运行。

  5. 紧凑的封装:SOT-323 封装使得 DMN2055UWQ-7 在空间受限的设计中也能够方便使用。其小巧的体积适合于手机、平板电脑、智能家居设备等多种小型电子产品。

三、应用场合

DMN2055UWQ-7 被广泛应用于多种电子领域,主要包括但不限于:

  • 便携式设备:由于其低功耗和高热效率,非常适合用于智能手机、平板电脑以及可穿戴设备等便携式电子产品。

  • 电源管理:在各种电子电源模块中,DMN2055UWQ-7 可用于 DC-DC 转换器、开关电源等场合,有助于实现高效的电能转换和管理。

  • 马达驱动:此 MOSFET 在马达控制电路中可以高效驱动小功率直流电机,广泛应用于机器人、电动工具等领域。

  • LED 驱动:在 LED 照明设备中,DMN2055UWQ-7 可用作开关键和调光控制,提高了光源的使用效率和控制精度。

四、总结

DMN2055UWQ-7 N 沟道 MOSFET 以其优异的电气特性和可靠的性能,成为了现代电子设计中的一款重要元件。其低导通电阻、高开关速度及良好的热管理确保了在各种复杂环境下的稳定性。同时,适合 SOT-323 小型封装使得它能在紧凑的电路中广泛应用。无论是在便携式设备、电源管理还是马达驱动中,DMN2055UWQ-7 都能够满足性能和效率的双重要求,是设计师值得信赖的选择。