功率(Pd) | 800mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 37pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 45mΩ@2.5V,3.1A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 4.3nC@4.5V |
漏源电压(Vdss) | 20V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 400pF@10V | 连续漏极电流(Id) | 4.8A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
DMN2055UWQ-7 是一款高性能的 N 沟道场效应管(MOSFET),由知名半导体制造商 DIODES(美台)生产。此器件采用了紧凑的 SOT-323 封装,适合多种应用场景,尤其在空间受限的电路中表现突出。DMN2055UWQ-7 结合了低导通电阻、快速开关特性及高效的热性能,是现代电子设备中不可或缺的重要组成部分。
低导通电阻:DMN2055UWQ-7 的导通电阻(R_DS(on))非常低,这意味着在工作状态下,器件的功耗较少,有助于提高电路的整体效率。这一特性对于电池供电的便携设备尤为重要,有助于延长电池寿命。
高开关速度:DMN2055UWQ-7 的开关响应时间极短,能够支持快速开关的应用,包括开关电源、电子载波等。这一特性使其在高频应用中维持稳定性能。
耐高压和高电流:该 MOSFET 能够可靠地处理较高的电压和电流,确保在各种负载条件下稳定工作,使其成为电源管理、马达驱动和其他高功率应用的理想选择。
优良的热性能:由于其设计结构,DMN2055UWQ-7 有效地管理了发热问题,进一步提升了其耐用性和可靠性。高效的热导性能大大减少了元件在长时间工作中的温度上升,确保系统的安全运行。
紧凑的封装:SOT-323 封装使得 DMN2055UWQ-7 在空间受限的设计中也能够方便使用。其小巧的体积适合于手机、平板电脑、智能家居设备等多种小型电子产品。
DMN2055UWQ-7 被广泛应用于多种电子领域,主要包括但不限于:
便携式设备:由于其低功耗和高热效率,非常适合用于智能手机、平板电脑以及可穿戴设备等便携式电子产品。
电源管理:在各种电子电源模块中,DMN2055UWQ-7 可用于 DC-DC 转换器、开关电源等场合,有助于实现高效的电能转换和管理。
马达驱动:此 MOSFET 在马达控制电路中可以高效驱动小功率直流电机,广泛应用于机器人、电动工具等领域。
LED 驱动:在 LED 照明设备中,DMN2055UWQ-7 可用作开关键和调光控制,提高了光源的使用效率和控制精度。
DMN2055UWQ-7 N 沟道 MOSFET 以其优异的电气特性和可靠的性能,成为了现代电子设计中的一款重要元件。其低导通电阻、高开关速度及良好的热管理确保了在各种复杂环境下的稳定性。同时,适合 SOT-323 小型封装使得它能在紧凑的电路中广泛应用。无论是在便携式设备、电源管理还是马达驱动中,DMN2055UWQ-7 都能够满足性能和效率的双重要求,是设计师值得信赖的选择。