DMN3401LDW-7 产品实物图片
DMN3401LDW-7 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMN3401LDW-7

商品编码: BM0084325256
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT363
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
绝缘栅场效应管(MOSFET)
库存 :
5450(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.605
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.605
--
200+
¥0.39
--
1500+
¥0.339
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMN3401LDW-7参数

FET 类型2 N-通道(双)FET 功能标准
漏源电压(Vdss)30V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)800mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)400 毫欧 @ 590mA,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)1.2nC @ 10V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)50pF @ 15V
功率 - 最大值290mW(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装SOT-363

DMN3401LDW-7手册

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DMN3401LDW-7概述

DMN3401LDW-7 产品概述

一、基本介绍

DMN3401LDW-7 是一款由美台(DIODES)公司生产的 N-通道绝缘栅场效应管(MOSFET),适用于各种电子电路中,具有出色的性能和可靠性。该产品主要用作开关和放大应用,尤其在要求较高的电压和电流条件下表现优异,是现代电子设备不可或缺的关键元件。

二、关键规格

  • FET 类型:双 N-通道 MOSFET
  • 漏源电压 (Vdss):最大30V
  • 连续漏极电流 (Id):在25°C时可达800mA
  • 导通电阻 (Rds(on)):最大400毫欧,测试条件为590mA,Vgs = 10V
  • 阈值电压 (Vgs(th)):最大值为1.6V,测试条件为250µA
  • 栅极电荷 (Qg):最大值1.2nC,Vgs = 10V
  • 输入电容 (Ciss):最大值50pF,测试条件为15V
  • 功耗 (Pd):最大290mW
  • 工作温度范围 (TJ):-55°C 至 150°C
  • 封装:SOT-363

三、产品特点

  1. 高效能:DMN3401LDW-7 具有低的导通电阻,允许在较高电流下工作而不会产生过多的热量,从而提高整体电能效率。这使得它在电源管理、马达驱动和开关电源中能够有效降低功耗和温升。

  2. 宽广的工作温度范围:该器件支持从-55°C到150°C的广泛工作温度,能够在苛刻的环境条件下稳定工作,适用于汽车、工业控制等需要耐高温和低温性能的应用。

  3. 小型封装:封装类型为SOT-363,这种表面贴装型设计使得它在空间有限的电路板上非常适用,能够减小整体产品体积并增加设计灵活性。

  4. 优良的开关性能:具有低的栅极电荷和输入电容,保证其在高频开关应用中的快速响应能力,使其非常适合高频率的开关电源和信号处理应用。

四、应用场景

DMN3401LDW-7 可广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  • 电源管理:用于DC-DC转换器、开关电源,以及便携式电子设备的电源管理系统。
  • 电机驱动:在电机驱动和调速系统中,作为开关元件控制电机的启动与停止。
  • 通信设备:高频应用中,如通信接口和信号处理路径,可实现高效的开关功能。
  • 汽车电子:作为汽车电子系统中的开关元件,包括电气控制单元和灯光控制系统,确保长期稳定的工作状态和安全性。

五、总结

作为一款高性能的双 N-通道 MOSFET,DMN3401LDW-7 在多个领域中拥有广泛的应用潜力。凭借其优异的电气特性和可靠的工作性能,适合用于各种要求严格的电子产品开发中。选择DMN3401LDW-7,能够帮助企业提高产品的能效和可靠性,下降整体成本,是开发者和工程师们极佳的选择。