FET 类型 | 2 N-通道(双) | FET 功能 | 标准 |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 800mA(Ta) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 400 毫欧 @ 590mA,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.6V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 1.2nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 50pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 290mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装 | SOT-363 |
DMN3401LDW-7 是一款由美台(DIODES)公司生产的 N-通道绝缘栅场效应管(MOSFET),适用于各种电子电路中,具有出色的性能和可靠性。该产品主要用作开关和放大应用,尤其在要求较高的电压和电流条件下表现优异,是现代电子设备不可或缺的关键元件。
高效能:DMN3401LDW-7 具有低的导通电阻,允许在较高电流下工作而不会产生过多的热量,从而提高整体电能效率。这使得它在电源管理、马达驱动和开关电源中能够有效降低功耗和温升。
宽广的工作温度范围:该器件支持从-55°C到150°C的广泛工作温度,能够在苛刻的环境条件下稳定工作,适用于汽车、工业控制等需要耐高温和低温性能的应用。
小型封装:封装类型为SOT-363,这种表面贴装型设计使得它在空间有限的电路板上非常适用,能够减小整体产品体积并增加设计灵活性。
优良的开关性能:具有低的栅极电荷和输入电容,保证其在高频开关应用中的快速响应能力,使其非常适合高频率的开关电源和信号处理应用。
DMN3401LDW-7 可广泛应用于多个领域,包括但不限于:
作为一款高性能的双 N-通道 MOSFET,DMN3401LDW-7 在多个领域中拥有广泛的应用潜力。凭借其优异的电气特性和可靠的工作性能,适合用于各种要求严格的电子产品开发中。选择DMN3401LDW-7,能够帮助企业提高产品的能效和可靠性,下降整体成本,是开发者和工程师们极佳的选择。