DMN6075S-13
DMN6075S-13参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 85 毫欧 @ 3.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12.3nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 606pF @ 20V |
| 功率耗散（最大值） | 800mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMN6075S-13手册
DMN6075S-13概述
DMN6075S-13 产品概述
一、产品简介
DMN6075S-13 是一款由Diodes公司制造的 N 通道 MOSFET（场效应管），其设计理念旨在实现高效的电能管理和控制。该器件适用于各种电力电子应用，尤其在电源管理、高频开关和用于电机驱动的控制电路中表现出色。DMN6075S-13 的额定电压为 60V，连续漏电流为 2A，使其在中等功率应用中具有理想的性能。
二、关键参数
FET 类型：DMN6075S-13 是 N 通道 MOSFET，具有优异的导电特性和较低的开关损耗。
漏源电压（Vdss）：最高可承受 60V 的漏源电压，为多种应用提供了可靠的电压容限。
连续漏极电流 (Id)：在 25°C 的环境温度下，最大连续漏极电流为 2A，适合于较低功率的开关应用。
最大 Rds(on)：在 10V 的栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大为 85毫欧，有助于降低功耗和提高效率。
门极阈值电压 (Vgs(th))：最大门极阈值电压为 3V，适合用于逻辑电平驱动。
栅极电荷 (Qg)：栅极电荷最大为 12.3nC @ 10V，意味着在高频开关应用中，快速响应特性使得DMN6075S-13特别适用于快速开关电路。
输入电容 (Ciss)：在 20V 电压下，输入电容最大为 606pF，提供了良好的动态性能。
工作温度范围：-55°C 至 150°C 的广泛工作温度范围，确保其在极端条件下仍能正常工作。
功率耗散：最大功率耗散为 800mW，适合用于需要较低热管理的应用场合。
三、封装信息
DMN6075S-13 采用 SOT-23 封装，具有小型化的特点，适合于空间受限的应用场景。SOT-23 封装确保了良好的散热性能和稳定的电气性能，简化了PCB设计，能够实现高密度布局。
四、应用场景
开关电源（SMPS）：在开关电源中，DMN6075S-13 可以作为主开关管，提供高效的电能转换和管理。
电机控制：适用于 DC 电机驱动电路，通过高效的开关控制实现精确的电机速度和转矩控制。
信号开关：在各种信号处理和转换电路中，DMN6075S-13 可以用作开关器件，提供可靠的信号切换。
LED 驱动：可用于驱动 LED 灯条，确保高效的电能使用并提供稳定的照明效果。
五、总结
DMN6075S-13 结合了高性能、低损耗和宽工作温度范围等多种优良特性，为广泛的电子应用提供解决方案。无论是在高频开关电源、电机控制或是信号开关的应用环境中，该 MOSFET 都展现出可靠的性能。其 SOT-23 封装使得该器件在空间有限的设计中同样具有极大的灵活性和适用性，因此是设计工程师的理想选择。随着电子设备的小型化和高性能要求的提升，DMN6075S-13 将在未来的各种电子设计中发挥更加重要的作用。