DMN6040SSS-13
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SO-8
包装 :
编带
重量 :
0.388g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.5W 60V 5.5A 1个N沟道 SOIC-8
库存 :
2622(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
1.41按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.41
--
100+
￥1.09
--
1250+
￥0.921
--
2500+
￥0.78
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37500+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN6040SSS-13参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 40 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 22.4nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1287pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 1.5W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
DMN6040SSS-13手册
DMN6040SSS-13概述
DMN6040SSS-13 产品概述
产品概述
DMN6040SSS-13 是一款高性能 N 通道 MOSFET，适用于广泛的电子应用。这款场效应管具有60V的漏源电压（Vdss）、5.5A的连续漏极电流（Id）和超低的导通电阻，适合高效率的电源管理和开关应用。DMN6040SSS-13在电力转换、LED驱动、电机控制和其他高频开关应用中展现出色的性能，是一款兼具可靠性与实用性的元器件。
主要参数
- FET 类型: N 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）
- 漏源电压 (Vdss): 60V
- 连续漏极电流 (Id): 5.5A（在25°C下测试）
- 导通电阻 (Rds On): 在10V下，最大值为40毫欧，通过4.5A的流量来实现最小导通电阻性能
- 栅源电压 (Vgs): 该元件支持的最大栅源电压为±20V，允许设计灵活性和适用性
- 导通阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为3V（在250µA下）
- 栅极电荷 (Qg): 最大值为22.4nC（在10V时）
- 输入电容 (Ciss): 1287pF（对25V的不同Vds测得）
- 功率耗散 (Pd): 最大1.5W
- 工作温度范围: -55°C至150°C，适合各种应用环境
- 封装类型: 表面贴装型，采用SO-8封装形式，通过现代SMT技术实现小型化与高集成度
性能优势
DMN6040SSS-13 MOSFET具备出色的热性能和电气性能，使之成为高效率电源管理设计的理想选择。其低导通电阻特性不仅可以降低开关损耗，还能够提升整个电路的能效。此外，宽广的工作温度范围使其在极端环境下也能稳定运行，这对于要求严苛的工业应用尤为重要。
对于电源管理而言，DMN6040SSS-13在支持快速开关和低导通损耗方面表现卓越。这使其能够有效地提升转换效率，改善系统的热管理，确保电子设备在各种负载条件下可靠运行。
应用领域
DMN6040SSS-13广泛应用于以下领域：
- 开关电源: 用于DC-DC转换器、高频开关电源等提供高效的开关能力。
- 电机控制: 适用于驱动直流电机、步进电机和无刷电机的开关控制。
- LED 驱动: 为LED照明提供高效的驱动解决方案，确保较低的功率损耗。
- 工业控制: 用于各种工业设备和自动化系统中的电源开关。
结论
综合上述信息，DMN6040SSS-13是一款专为高性能应用设计的N通道MOSFET。其优异的电气性能、可靠的工作特性和广泛的应用领域，使其在现代电子设计中成为不可或缺的重要元器件。无论是在消费电子、工业自动化还是电源管理，DMN6040SSS-13都能为设计师提供高效稳定的解决方案，帮助其实现更高的产品性能和更低的能耗。