制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | NPN |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 450mV @ 20mA,3A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 400 @ 2A,2V | 频率 - 跃迁 | 150MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA | 供应商器件封装 | SOT-223 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 3A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 20V |
功率 - 最大值 | 1W | 基本产品编号 | DNLS320 |
制造商与品牌
DNLS320E-13是由Diodes Incorporated制造的一款高效能NPN晶体管,系列中的主要产品编号为DNLS320。这款晶体管不仅在技术参数上表现出色,同时也以其可靠性和优良的热管理为市场所认可,广泛应用于各种电子设计中。
产品类型
作为一种有源元器件,DNLS320E-13是一款NPN型双极型晶体管(BJT),主要用于信号放大和开关电路。其设计目的是满足现代电子设备对高频、高效能,以及大输出电流的需求。
性能参数
直流电流增益 (hFE):DNLS320E-13在2A时的直流电流增益(hFE)最小值为400,这意味着即使在较大的集电极电流下,该晶体管也能维持较高的增益,适合用于对增益要求高的应用场景。
集电极电流(Ic):其最大集电极电流可达3A,这一特性使得DNLS320E-13非常适合用于功率放大器或大电流开关电路。
饱和压降(Vce(sat)):在20mA和3A的条件下,其最大饱和压降为450mV,这一低饱和压降保证了在开关操作时的更高效率,减少了功耗,有助于提高整体电路性能。
截止电流(ICBO):最大集电极截止电流为100nA,这表明其在关闭时漏电流极低,非常适合作为高精度放大器。
频率响应:该晶体管的跃迁频率达到150MHz,表明其在高频应用中的适应能力,能够满足现代通信设备、数字电路等高速信号处理的需求。
工作条件
DNLS320E-13的工作温度范围极广,达到-55°C至150°C (TJ),使得它可以在极端环境下工作,适合用于航天、军事和工业控制等高要求的领域。
封装与安装
该产品采用SOT-223封装方式,具有较小的尺寸和轻量化特性,非常适合现代电子产品中对空间和重量的严格要求。其表面贴装型(SMD)设计,使得安装更为简便,可以在自动化生产流程中被广泛使用,同时提高了设备的组装效率。
应用场景
DNLS320E-13晶体管的综合特性使其可广泛应用于多种范畴,包括但不限于:
总结
DNLS320E-13是一款性能优良、可靠性高的NPN晶体管,凭借其出色的电气特性和宽广的工作温度范围,成为了现代电子设计中不可或缺的重要元件。无论是在高频通信、开关电源、还是音频放大器中,它都能展现出卓越的表现,是设计工程师首选的解决方案。