DMT10H010LSS-13
DMT10H010LSS-13参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11.5A（Ta），29.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9.5 毫欧 @ 13A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 71nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3000pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 1.4W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
DMT10H010LSS-13手册
DMT10H010LSS-13概述
DMT10H010LSS-13 产品概述
DMT10H010LSS-13 是由美台（DIODES）公司推出的一款高性能N沟道MOSFET。这款器件专门设计用于高效的电力转换和开关应用，广泛适用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。其优异的电气特性和紧凑的封装使其成为多种电源管理应用的理想选择。
主要规格与特性
FET类型与结构： DMT10H010LSS-13 是一种N沟道MOSFET（场效应晶体管），采用金属氧化物半导体技术，这种结构提供了优越的导通性能和低导通电阻，使器件在高频操作中表现良好。
高电压和大电流特性： 该器件的漏源电压（Vdss）额定值为100V，使其可以安全地处理高电压应用的需求。其25°C时连续漏极电流（Id）为11.5A，而在较高的散热条件下（Tc），其电流可达到29.5A，显示出强大的载流能力。
低导通电阻： 在10V的栅源电压下，DMT10H010LSS-13在13A的漏极电流下导通电阻（Rds(on)）最大为9.5毫欧。这一特性不仅提高了能效，同时也降低了功率损耗，适合高效电源设计。
门极驱动能力： 该MOSFET的栅极驱动电压表现出色，其最大Rds(on)可在4.5V至10V的驱动电压范围内达到。其阈值电压（Vgs(th)）在不同的漏极电流条件下最大为2.8V（@250µA），显示了对低驱动电压的兼容性，有助于减少控制电路的设计复杂度。
高频特性与输入电容： 在50V下，DMT10H010LSS-13的输入电容（Ciss）最大为3000pF，这使其能够在高频工作环境中实现有效的开关操作，适合高频开关电源及脉冲驱动应用。
功耗与热管理： 该器件的功率耗散率为1.4W（在环境温度Ta下），这为设计提供了灵活性，能够适应不同的散热设计。在高温环境下，其工作温度范围宽广，从-55°C至150°C（TJ），确保在严苛环境下都能够稳定工作。
封装与安装类型： DMT10H010LSS-13采用SO-8封装，表面贴装（SMD）设计简化了自动化生产和空间利用。SO-8封装也使得器件的散热性能和可靠性得到提升，适合现代电子设备的集成需求。
应用场景
DMT10H010LSS-13 适用于多种电源管理与开关应用，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）
- DC-DC 转换器
- 电动机驱动控制
- LED驱动
- 反激式和升压型拓扑电路
该MOSFET的高电压和电流承受能力结合低导通电阻，能满足高效、低损耗的电源设计需求，是电力电子领域理想的选择。
结论
DMT10H010LSS-13 N沟道MOSFET是一款结合了高性能特性与良好热稳定性的先进器件。其广泛的应用潜力、出色的电气性能以及适应各种环境的能力，使其在现代电子设备设计中扮演着至关重要的角色。设计师在选择电源管理元件时，应优先考虑其带来的高效和稳健的表现，以满足不断增长的市场需求。通过合理的设计策略，DMT10H010LSS-13将为多种方案的实现提供强有力的支持。