FCX555TA
FCX555TA参数
| 晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 700mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 180V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 400mV @ 25mA，250mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 20nA（ICBO） | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 100mA，5V |
| 功率 - 最大值 | 2.1W | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-243AA | 供应商器件封装 | SOT-89-3 |
FCX555TA手册
FCX555TA概述
FCX555TA 产品概述
概述
FCX555TA 是由 DIODES（美台）生产的一款高性能 PNP 晶体管。其在电子电路设计和应用中，特别是在功率放大、开关电路及模拟信号处理领域，凭借其卓越的技术参数和优越性能，广泛应用于各种电子设备及系统中。
主要参数
晶体管类型: FCX555TA 属于 PNP 类型晶体管，这意味着它的主要电流流动方向是通过发射极（E）到基极（B），再流向集电极（C）。这种构造专为高效的电力控制及信号放大设计。
集电极电流 (Ic): 该器件的最大集电极电流为 700mA。在设计需要通过负载较高电流的电路时，FCX555TA 的这一特点使其成为理想选择，保证稳定的工作状态和高效的电力传输。
集射极击穿电压 (Vceo): FCX555TA 的最大集射极击穿电压为 180V，能承受相对较高的电压条件，适用于高压应用场景，增加了其适用范围。
Vce 饱和压降: 在电流条件下，该器件的 Vce 饱和压降（最大值）为 400mV （在 25mA 流过电流时以及 250mA 时表现出较低的压降），这有助于提高效率，减少能量损耗。
截止电流 (ICBO): FCX555TA 在静态条件下的集电极截止电流最大值为 20nA，显示出良好的电气隔离性能。
DC 电流增益 (hFE): 在 100mA 和 5V 条件下，该器件的 DC 电流增益的最小值为 100，这意味着它在信号放大的过程中能够提供显著的输出增强。
功率额定值: FCX555TA 的最大功率为 2.1W，适应各种功耗要求，能够满足苛刻的场景需求，包括高效能控制和放大应用。
频率响应: 在最高 100MHz 的频率跃迁能力下，该晶体管适用于高频率信号处理，有助于构建高性能的无线通信系统。
工作温度范围: FCX555TA 的工作温度范围广泛，从 -65°C 到 150°C（TJ），适合各种恶劣环境及高温应用，确保在不同环境条件下的稳定性和可靠性。
封装形式: 采用 SOT-89-3 的表面贴装封装，紧凑的设计使得 FCX555TA 方便集成于各类电路板中，节省空间并有助于降低整体系统的尺寸。
应用领域
FCX555TA 被广泛应用于以下几类场景：
- 开关电路: 可作开关元件，适用于电源调节、继电器驱动等电路。
- 信号放大: 在音频放大器及高频信号处理应用中，利用其高增益特性提供清晰、稳定的信号输出。
- 功率管理: 在电源管理系统中，FCX555TA 可用于高效电流转换及电能分配，提高系统的整体性能。
- 汽车电子设备: 其高工作温度及耐久性使之在汽车电子领域表现出色，适应车载传感器、控制单元等设备的需求。
结论
FCX555TA PNP 晶体管因其优越的电气性能、良好的热稳定性以及广泛的应用场景，成为设计工程师在电路开发中不可或缺的一部分。无论是在高频应用还是在高电流电路中，FCX555TA 都展现出其卓越的设计价值，为电子设计提供可靠的选择。其出色的特性无疑能够极大地推动现代电子设备的进一步发展。