晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 2.2 kOhms |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 160 @ 5mA,10V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 250mV @ 1mA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA | 功率 - 最大值 | 246mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
产品概述:MMUN2238LT1G
MMUN2238LT1G 是一款由安森美(ON Semiconductor)制造的高性能 NPN 数字晶体管,专为需要高效开关和放大应用的电子电路设计而成。这种型号在多个关键参数上表现出色,使其成为广泛应用于消费电子、工业设备及信号处理电路的理想选择。
晶体管类型与增强特性
电流和电压特性
电流增益(hFE)
饱和压降与截止电流
功率与热管理
封装与安装类型
由于其优越的性能,MMUN2238LT1G 适用于广泛的领域:
总的来说,MMUN2238LT1G 是一款可靠且高效的 NPN 数字晶体管,凭借其优越的 electrical 和 thermal 特性,满足多种应用需求。它不仅提高了电路的可靠性和供电效率,还因其出色的性能规格而成为电子设计中不可获取的一部分。无论是在高频放大还是在开关应用中,MMUN2238LT1G 都能为设计师提供可靠的解决方案。