MMUN2238LT1G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MMUN2238LT1G

商品编码: BM0084322481
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOT-23-3(TO-236)
包装 : 
编带
重量 : 
0.03g
描述 : 
数字晶体管 246mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 SOT-23
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.786
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.786
--
200+
¥0.262
--
1500+
¥0.164
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

MMUN2238LT1G参数

晶体管类型NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)2.2 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)160 @ 5mA,10V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)250mV @ 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)500nA功率 - 最大值246mW
安装类型表面贴装型封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)

MMUN2238LT1G手册

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MMUN2238LT1G概述

产品概述:MMUN2238LT1G

MMUN2238LT1G 是一款由安森美(ON Semiconductor)制造的高性能 NPN 数字晶体管,专为需要高效开关和放大应用的电子电路设计而成。这种型号在多个关键参数上表现出色,使其成为广泛应用于消费电子、工业设备及信号处理电路的理想选择。

主要参数与特性

  1. 晶体管类型与增强特性

    • MMUN2238LT1G 是一种 NPN 型晶体管,采用预偏压设计。这种设计使其在用户所需的工作区域内能够快速响应,从而提高了整体电路的性能。
  2. 电流和电压特性

    • 该器件的最大集电极电流(Ic)为100mA,适合处理中等负荷的应用。当电压达到最大集射极击穿电压(Vceo)时,其值可达50V。这确保了在高电压环境下的可靠性和安全性,使其适用于多种工作条件。
  3. 电流增益(hFE)

    • 在5mA的基极电流(Ib)和10V的集电极电压(Vce)下,MMUN2238LT1G 的直流电流增益(hFE)不低于160。这一特性使其在低功耗操作中依然能够维持较高的输出电流,适用于信号放大及开关应用。
  4. 饱和压降与截止电流

    • 在频率较高的应用场合,Vce 饱和压降的最大值为250mV,适用于对能量损耗有严苛要求的场合。此外,集电极截止电流最大值为500nA,降低了待机功耗。
  5. 功率与热管理

    • 最大功率额定为246mW,使得该晶体管能承受较高的热负载而不会受到损害。这一点对于在长时间运行或高温环境下工作的装置尤为重要。
  6. 封装与安装类型

    • MMUN2238LT1G 采用 SOT-23-3(TO-236)封装,属于表面贴装型元件。这种设计简化了PCB布局和焊接过程,非常适合自动化生产线上的快速组装。此外,SOT-23-3 封装小巧,节省了板上的空间,便于密集型电路的设计。

应用场景

由于其优越的性能,MMUN2238LT1G 适用于广泛的领域:

  • 消费电子:如智能手机、平板电脑及家用电器中的开关电路和信号放大。
  • 工业设备:此器件常用于传感器、控制器和电源管理单元中。
  • 无线通信:支持数据传输和信号调制的场合,提供必要的放大和驱动功能。
  • 汽车电子:适用于汽车控制单元、照明和传感器电路等。

结论

总的来说,MMUN2238LT1G 是一款可靠且高效的 NPN 数字晶体管,凭借其优越的 electrical 和 thermal 特性,满足多种应用需求。它不仅提高了电路的可靠性和供电效率,还因其出色的性能规格而成为电子设计中不可获取的一部分。无论是在高频放大还是在开关应用中,MMUN2238LT1G 都能为设计师提供可靠的解决方案。