制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 160 @ 5mA,10V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 250mV @ 1mA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 2.2 kOhms | 功率 - 最大值 | 246mW |
基本产品编号 | SMMUN2 |
SMMUN2238LT1G 是由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款数字晶体管,采用 SOT-23 封装(也称为 TO-236),其设计目的是用于多种电子应用中的开关和放大功能。该器件的主要特点包括 NPN 结构、预偏压特性以及较高的工作电流和电压能力,使其成为在紧凑空间内进行高效电子设计的理想选择。
SMMUN2238LT1G 作为数字晶体管,其内置的预偏压设计使得它在驱动特定负载或与其他数字电路进行交互时,表现出优越的开关特性。相较于传统的三极管,预偏压型设计使其在很大程度上简化了电路设计,因为用户在使用时不再需要外部电流源来驱动基极。
此外,该晶体管的低饱和压降特性意味着在开关操作时可以最大限度地减少功率损耗,从而提高设备的整体效率。这一性能使其特别适合用于便携式电子设备和低功耗应用。
SMMUN2238LT1G 可广泛应用于消费类电子产品、通信设备及其他数字电路中,如:
由于其小型化的 SOT-23 封装,SMMUN2238LT1G 能够轻松集成到各种紧凑型电路板中,特别适合于空间受限的设计和应用。
SMMUN2238LT1G 是一款性能优越、适用范围广泛的数字晶体管,其预偏压设计与小型化封装的结合,使其在现代电子设计中具有强大的适用性,同时满足了高效能和低功耗的需求。对于设计师而言,这款器件不仅简化了设计流程,还提供了更大的设计灵活性和可靠性,是实现高效电子产品设计的优选组件。