FET 类型 | 2 N-通道(双) | FET 功能 | 标准 |
漏源电压(Vdss) | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 9.3m옴 @ 9.7A, 10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 38nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1835pF @ 20V |
功率 - 最大值 | 48W | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 双 |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 双 |
SQJ912AEP-T1_GE3是由知名电子元器件供应商VISHAY(威世)生产的一款高性能N通道MOSFET。它采用了PowerPAK® SO-8封装形式,具有优秀的尺寸和散热性能,非常适合于各种高频率和高效率的电力转换应用。
漏源电压(Vdss):该MOSFET的最大漏源电压为40V,能够有效处理多种电力应用中常见的电压范围,这为其在复杂电路环境中的应用提供了稳定性和可靠性。
连续漏极电流(Id):在25°C环境温度下,SQJ912AEP-T1_GE3的连续漏极电流可达到30A,这使得它非常适合用于电源管理和电机驱动等需要处理较大电流的应用场合。
导通电阻(Rds(on)):在条件Id=9.7A和Vgs=10V下,最大导通电阻可达9.3mΩ。这表明该器件在导通状态下具有极低的功率损耗,有利于提高整体电源效率,降低热量产生,从而提高系统的稳定性和可靠性。
栅极阈值电压(Vgs(th)):Vgs(th)的最大值为2.5V(在250µA时测量),这意味着在相对较低的栅极驱动电压下,该MOSFET能够迅速导通,提高了响应速度及其在快速开关应用中的适用性。
栅极电荷(Qg):在Vgs=10V的条件下,栅极电荷最大为38nC。这一特性对于高频开关应用极为重要,较低的栅极电荷减少了驱动电路的能耗,提高了开关效率。
输入电容(Ciss):输入电容的最大值为1835pF(在Vds=20V时测量),这一值在高频开关应用中也是一个重要的设计参数,直接影响到开关频率和系统的总体效率。
SQJ912AEP-T1_GE3具有广泛的工作温度范围,从-55°C到175°C,能够适应不同环境下的工作需求,特别适合于汽车电子、工业控制以及高温耐受性要求的高级应用场景。
电源管理:SQJ912AEP-T1_GE3适用于DC-DC转换器、同步整流、开关电源等领域,能够有效地提高转换效率,减少能量损耗,实现更高的功率密度。
电机驱动:该MOSFET的高漏电流和低导通电阻特性使其非常适合用于各种电机控制和驱动应用,尤其是在车载电机、步进电机和无刷直流电机驱动等要求高性能的场景中。
消费电子:在智能手机、平板电脑和其他便携式设备中,SQJ912AEP-T1_GE3可以用于电池管理和充电电路,优化电力效率,延长电池寿命。
汽车电子:由于其适应高温和高电流的性能,该MOSFET非常适合于汽车电子系统中,如电源模块、传感器和执行器等。
SQJ912AEP-T1_GE3是一款功能强大、性能卓越的N通道MOSFET,凭借其低导通电阻、宽广的工作温度范围以及强大的电流承受能力,非常适合各种电力电子应用。它的设计考虑到了高开关频率、高效率和高可靠性的需求,因而在现代电子产品中得到更为广泛的应用。作为一款性价比高的MOSFET,选择SQJ912AEP-T1_GE3将能有效助力设计者在开发高性能、低能耗电子设备时获得更大的灵活性和效率。