注：图像仅供参考，请参阅产品规格
PSMN030-60YS,115
品牌 :
Nexperia(安世)
封装 :
LFPAK56-5
包装 :
编带
重量 :
0.144g
描述 :
场效应管(MOSFET) 56W 60V 29A 1个N沟道 SOT-669
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
4.84按整 :
圆盘(1圆盘有1500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥4.84
--
100+
￥4.02
--
750+
￥3.66
--
22500+
产品参数
产品手册
产品概述
PSMN030-60YS,115参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 29A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 24.7 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 56W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | LFPAK56，Power-SO8 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669 | 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 13nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 686pF @ 30V |
PSMN030-60YS,115手册
无数据
PSMN030-60YS,115概述
PSMN030-60YS,115 产品概述
一、产品简介
PSMN030-60YS,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其广泛应用于功率管理和转换电路。这款 MOSFET 以其优异的电流承载能力和低导通电阻特性，能够满足高功率和高频率的需求，适合各种工业及消费电子应用。
二、关键参数
- 电流承载能力：在 25°C 时，连续漏极电流 (Id) 可达到 29A (Tc)，使其能够在高负载条件下稳定工作。
- 漏源电压 (Vdss)：60V 的最大漏源电压提供了灵活性和安全性，能够有效防止电压尖峰对设备的影响。
- 导通电阻 (Rds On)：在 Vgs 为 10V 和 Id 为 15A 条件下，最大导通电阻为 24.7毫欧，确保了在工作状态下的低功耗损耗，高效能的输出。
- 功率耗散：最大功率耗散为 56W（Tc），在高温条件下仍可保持良好性能。
- 工作温度范围：该产品的工作温度范围为 -55°C 到 175°C，极大的拓展了其应用场景，无论是在严苛的环境还是高温应用中均表现出色。
三、封装与安装
PSMN030-60YS,115 MOSFET 采用 LFPAK56-5 封装，符合表面贴装技术（SMT）要求，具有优良的散热性能和较小的占用空间。这种封装形式也有助于提高组装效率，降低生产成本，适合于自动化的高密度电路板装配。
四、电气特性
- 栅极电压 (Vgs)：最大栅极驱动电压为 ±20V，符合多种驱动电路的要求。
- 栅极阈值电压 (Vgs(th))：在 1mA 测试条件下，最大阈值电压为 4V，这意味着此 MOSFET 可以在较低的栅极电压下开始导电，提升了其驱动的灵活性。
- 输入电容 (Ciss)：输入电容的最大值为 686pF @ 30V，反映了其在开关操作时的快速响应特性，适合高频应用。
五、应用领域
PSMN030-60YS,115 MOSFET 被广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- DC-DC 变换器：用于电源管理彻底提升转换效率。
- 电机驱动：其高耐流能力，以及快速开关特性，使其成为电动机控制方案的理想选择。
- UPS、电源供电系统：其高功率耗散能力保证了在重负载情况下的稳定性与安全性。
- 消费电子：包括手机充电器与电源适配器等，低导通电阻可以有效提高系统整体能效。
六、总结
综上所述，PSMN030-60YS,115 MOSFET 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET，具备优异的电气特性和宽广的工作温度范围。无论是在工业、消费电子，还是电源管理系统中，它都能展现出色的性能和耐用性。推荐在高效率、低功耗需求的电路中使用，为设计者提供具优质的优化选择。